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通常，開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓高于誤差放大器基準(zhǔn)電壓，因此只需在PWM誤差放大器的同相輸入端VouT和地之間設(shè)置一個(gè)簡(jiǎn)單的電阻分壓器，即可設(shè)置調(diào)節(jié)電壓。然而，當(dāng)VoUT小于誤差放大器基準(zhǔn)電壓時(shí)，反饋電壓必須分壓，而不是分壓。圖中顯示了反饋低于PWM內(nèi)部誤差放大器基準(zhǔn)電壓的輸出電壓的簡(jiǎn)單方法。開(kāi)發(fā)了實(shí)用的設(shè)計(jì)方程，并應(yīng)用于一個(gè)簡(jiǎn)單的應(yīng)用示意圖。對(duì)于低壓、大電流電源應(yīng)用，開(kāi)關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)要求變得尤為關(guān)鍵。由于為了滿(mǎn)足特定設(shè)計(jì)的高電流規(guī)格，通常會(huì)并聯(lián)放置幾個(gè)MOSFET器件，因此單個(gè)器件控制器和驅(qū)動(dòng)器解決方案的便利性不再可行。MOSFETs并聯(lián)放置，以降低總漏極至源極導(dǎo)通電阻，從而降低傳導(dǎo)損耗。然而，隨著越來(lái)越多的器件并行放置，柵極充電需求迅速增加。由于MOSFET的內(nèi)部阻抗遠(yuǎn)低于驅(qū)動(dòng)器級(jí)的內(nèi)部阻抗，因此與驅(qū)動(dòng)MOSFET并聯(lián)組合相關(guān)的大部分功耗都是以控制器器件內(nèi)的散熱形式出現(xiàn)的。因此，許多單芯片解決方案的驅(qū)動(dòng)器級(jí)根本不足以有效驅(qū)動(dòng)MOSFETs并聯(lián)組合產(chǎn)生的更高柵極電荷。
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