資料介紹
W29N01GV(1G位)NAND閃存為空間、插腳和電源有限的嵌入式系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。它是理想的代碼陰影到RAM,固態(tài)應(yīng)用程序和存儲(chǔ)媒體數(shù)據(jù),如語(yǔ)音,視頻,文本和照片。該裝置采用單路2.7V至3.6V電源供電,CMOS待機(jī)電流消耗低至25MA,10uA。
內(nèi)存數(shù)組總計(jì)138412032字節(jié),并組織為1024個(gè)可擦除塊,共135168字節(jié)。每個(gè)塊由64個(gè)可編程頁(yè)面組成,每個(gè)頁(yè)面2112字節(jié)。每個(gè)頁(yè)面包含主數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域的2048字節(jié)和備用數(shù)據(jù)區(qū)域的64字節(jié)(備用區(qū)域通常用于錯(cuò)誤管理功能)。
w29n01gv支持使用多路復(fù)用8位總線傳輸數(shù)據(jù)、地址和命令指令的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。我們處理總線接口協(xié)議的五個(gè)控制信號(hào),即CLE、ALE、CE、RE和。此外,該設(shè)備還有兩個(gè)信號(hào)針,即wp(寫保護(hù))和ry/by(就緒/忙碌),用于監(jiān)控設(shè)備狀態(tài)。
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