資料介紹
1.電力電子器件一般工作在________狀態(tài)。
2.在通常情況下,電力電子器件功率損耗主要為________,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為________。
3.電力電子器件組成的系統(tǒng),一般由________、________、 ________三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加________。
4.按內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況,電力電子器件可分為________ 、 ________ 、________三類。
5.電力二極管的工作特性可概括為________。
6.電力二極管的主要類型有________、________、 ________。
7.肖特基二極管的開關(guān)損耗________快恢復(fù)二極管的開關(guān)損耗。
8.晶閘管的基本工作特性可概括為 ____ 正向有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向截止 ____ 。
9.對同一晶閘管,維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL________IH 。
10.晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDRM與轉(zhuǎn)折電壓Ubo數(shù)值大小上應(yīng)為,UDRM________Ubo。
11.逆導(dǎo)晶閘管是將________與晶閘管________(如何連接)在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的________結(jié)構(gòu)是為了便于實(shí)現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計(jì)的。
13.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為________ 。
14.MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系,其中前者的截止區(qū)對應(yīng)后者的________、前者的飽和區(qū)對應(yīng)后者的________、前者的非飽和區(qū)對應(yīng)后者的________。
15.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有________溫度系數(shù)。
16.IGBT 的開啟電壓UGE(th)隨溫度升高而________,開關(guān)速度________電力MOSFET 。
17.功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________。
18.按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì),可將電力電子器件分為________和________兩類。
19.為了利于功率晶體管的關(guān)斷,驅(qū)動(dòng)電流后沿應(yīng)是________。
20.GTR的驅(qū)動(dòng)電路中抗飽和電路的主要作用是________。
21.抑制過電壓的方法之一是用________吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量,并用電阻將其消耗。在過電流保護(hù)中,快速熔斷器的全保護(hù)適用于________功率裝置的保護(hù) 。
22.功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用________型二極管,以便與功率晶體管的開關(guān)時(shí)間相配合。
23.晶閘管串聯(lián)時(shí),給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是________措施,給每只管子并聯(lián)RC支路是________措施,當(dāng)需同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí),應(yīng)采用________的方法。
24.IGBT的通態(tài)壓降在1/2或1/3額定電流以下區(qū)段具有________溫度系數(shù), 在1/2或1/3額定電流以上區(qū)段具有________溫度系數(shù)。
25.在如下器件:電力二極管(Power Diode)、晶閘管(SCR)、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR)、電力場效應(yīng)管(電力MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)中,屬于不可控器件的是________,屬于半控型器件的是________,屬于全控型器件的是________;屬于單極型電力電子器件的有________,屬于雙極型器件的有________,屬于復(fù)合型電力電子器件得有 ________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作頻率最高的是________,屬于電壓驅(qū)動(dòng)的是________,屬于電流驅(qū)動(dòng)的是________。
簡答題:
26.電力電子器件是如何定義和分類的?同處理信息的電子器件相比,它的特點(diǎn)是什么?
2.在通常情況下,電力電子器件功率損耗主要為________,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為________。
3.電力電子器件組成的系統(tǒng),一般由________、________、 ________三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加________。
4.按內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況,電力電子器件可分為________ 、 ________ 、________三類。
5.電力二極管的工作特性可概括為________。
6.電力二極管的主要類型有________、________、 ________。
7.肖特基二極管的開關(guān)損耗________快恢復(fù)二極管的開關(guān)損耗。
8.晶閘管的基本工作特性可概括為 ____ 正向有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向截止 ____ 。
9.對同一晶閘管,維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL________IH 。
10.晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDRM與轉(zhuǎn)折電壓Ubo數(shù)值大小上應(yīng)為,UDRM________Ubo。
11.逆導(dǎo)晶閘管是將________與晶閘管________(如何連接)在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的________結(jié)構(gòu)是為了便于實(shí)現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計(jì)的。
13.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為________ 。
14.MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系,其中前者的截止區(qū)對應(yīng)后者的________、前者的飽和區(qū)對應(yīng)后者的________、前者的非飽和區(qū)對應(yīng)后者的________。
15.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有________溫度系數(shù)。
16.IGBT 的開啟電壓UGE(th)隨溫度升高而________,開關(guān)速度________電力MOSFET 。
17.功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________。
18.按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì),可將電力電子器件分為________和________兩類。
19.為了利于功率晶體管的關(guān)斷,驅(qū)動(dòng)電流后沿應(yīng)是________。
20.GTR的驅(qū)動(dòng)電路中抗飽和電路的主要作用是________。
21.抑制過電壓的方法之一是用________吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量,并用電阻將其消耗。在過電流保護(hù)中,快速熔斷器的全保護(hù)適用于________功率裝置的保護(hù) 。
22.功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用________型二極管,以便與功率晶體管的開關(guān)時(shí)間相配合。
23.晶閘管串聯(lián)時(shí),給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是________措施,給每只管子并聯(lián)RC支路是________措施,當(dāng)需同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí),應(yīng)采用________的方法。
24.IGBT的通態(tài)壓降在1/2或1/3額定電流以下區(qū)段具有________溫度系數(shù), 在1/2或1/3額定電流以上區(qū)段具有________溫度系數(shù)。
25.在如下器件:電力二極管(Power Diode)、晶閘管(SCR)、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR)、電力場效應(yīng)管(電力MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)中,屬于不可控器件的是________,屬于半控型器件的是________,屬于全控型器件的是________;屬于單極型電力電子器件的有________,屬于雙極型器件的有________,屬于復(fù)合型電力電子器件得有 ________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作頻率最高的是________,屬于電壓驅(qū)動(dòng)的是________,屬于電流驅(qū)動(dòng)的是________。
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