資料介紹
SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補問題的探討
上海鐳芯電子有限公司鮑榮生
摘要
本文討論的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI(Bonding and Etch back SOI),由于在SOI 材料上制造的集成電路(IC)和常規(guī)的體硅IC 相比在性能上有許多優(yōu)點,因此很有發(fā)展前途。目前SOI 材料的性能和體硅相比確有一些差距,其主要原因是SOI 的缺陷密度需進一步降低;但是有些質(zhì)量問題要進行具體分析;例如工藝中不受控的重金屬雜質(zhì)集中在SOI 區(qū)內(nèi)無法泄漏;空氣中硼(B)雜質(zhì)污染硅片引起電阻率的變化;襯底的硅片是直拉單晶,其高濃度氧(O)雜質(zhì)在高溫時外擴散到SOI 中引起SOI 中O 濃度提高等;這些問題的起因主要是由于各種雜質(zhì)在硅中和二氧化硅中擴散系數(shù)不同所引起的,這些問題的解決有的需要二個工藝平臺的互補,即需要相互配合使SOI IC 的質(zhì)量不斷提高;本文將這些雜質(zhì)產(chǎn)生的原因,影響和
改進方法作初步探討。
上海鐳芯電子有限公司鮑榮生
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本文討論的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI(Bonding and Etch back SOI),由于在SOI 材料上制造的集成電路(IC)和常規(guī)的體硅IC 相比在性能上有許多優(yōu)點,因此很有發(fā)展前途。目前SOI 材料的性能和體硅相比確有一些差距,其主要原因是SOI 的缺陷密度需進一步降低;但是有些質(zhì)量問題要進行具體分析;例如工藝中不受控的重金屬雜質(zhì)集中在SOI 區(qū)內(nèi)無法泄漏;空氣中硼(B)雜質(zhì)污染硅片引起電阻率的變化;襯底的硅片是直拉單晶,其高濃度氧(O)雜質(zhì)在高溫時外擴散到SOI 中引起SOI 中O 濃度提高等;這些問題的起因主要是由于各種雜質(zhì)在硅中和二氧化硅中擴散系數(shù)不同所引起的,這些問題的解決有的需要二個工藝平臺的互補,即需要相互配合使SOI IC 的質(zhì)量不斷提高;本文將這些雜質(zhì)產(chǎn)生的原因,影響和
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