功率半導(dǎo)體的應(yīng)用手冊(cè)詳細(xì)資料說明

　　自從IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)首次出版以來，功率模塊的應(yīng)用發(fā)生了巨大的變化。這種變化，源于人類更有效利用石油，減少污染，廣泛使用再生新能源的愿望。從一般的發(fā)展更新（比如在體積，成本和轉(zhuǎn)換效率上的發(fā)展）到應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展（例如在惡劣環(huán)境條件下分散使用）對(duì)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)提出更高的要求。為了使讀者有一個(gè)更全面的了解，本書增加了賽米控公司三十多年前在應(yīng)用手冊(cè)中對(duì)功率二極管和晶閘管（可控硅）的描述和實(shí)際的應(yīng)用。本書主要針對(duì)的是半導(dǎo)體使用客戶，并把以前各種單獨(dú)的解釋進(jìn)行了歸納總結(jié)。為了讓讀者更好的理解，我們對(duì)一些基礎(chǔ)理論作了簡(jiǎn)單的闡述。如果讀者想進(jìn)一步加深理論了解，我們?cè)跁罅谐龅?a href='http://ttokpm.com/soft/' target='_blank' class='arckwlink_none'>參考資料中給出了多種高等學(xué)校的教科書目錄，可供大家參考。建立在德國(guó)賽米控公司專業(yè)知識(shí)的基礎(chǔ)和經(jīng)驗(yàn)上，我們向您推薦這本技術(shù)先進(jìn)的應(yīng)用手冊(cè)。它站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管（可控硅）。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)據(jù)，參數(shù)性能和實(shí)際應(yīng)用，比如冷卻，布線，控制，保護(hù)，并聯(lián)和串聯(lián)連接和使用拓?fù)浼夹g(shù)的晶體管模塊作為軟開關(guān)的應(yīng)用。本書使用了1998年出版的，由尤瑟夫。路茨博士教授和約根。培卓特合著的“IGBT和MOSFET功率模塊”以及由漢斯比特。漢培博士著的“賽米控功率半導(dǎo)體手冊(cè)”的部分內(nèi)容。我們?cè)诖讼蛑弑硎靖兄x。我們?cè)诖诉€要感謝萊納。威斯和烏威。紹也曼博士無(wú)私的專業(yè)幫助和支持。同樣我們還要感謝托馬斯。斯托克馬亞博士，比特。貝克達(dá)，托馬斯。格拉斯霍夫和艾克。遜那以及格林娣。斯達(dá)克在編輯校正所做的貢獻(xiàn)。我們的期望這本書對(duì)您是有趣的和有用的，如果本書能對(duì)您從元件選用到實(shí)際設(shè)計(jì)起到幫助作用，我們將深感安慰。歡迎批評(píng)指正。

　　隨著大功率半導(dǎo)體的發(fā)展和完善，已經(jīng)使它在電子工程的各項(xiàng)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。在日益增長(zhǎng)的對(duì)資源保護(hù)需求（例如能源節(jié)約問題），在新生能源（如風(fēng)力和光伏發(fā)電）和在潔凈的化石燃料方面（如在純電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中所使用的），這種發(fā)展表現(xiàn)出強(qiáng)勁增長(zhǎng)的活力。這種發(fā)展也明顯改善了系統(tǒng)成本和使用范圍，提高了能源生產(chǎn)和降低了能耗?！暗筒牧舷?低成本” 和“高效率”的部件對(duì)未來發(fā)展帶來十分重要的意義。圖2.1.1顯示目前市場(chǎng)上提供的可控的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品最高電壓和電流值。通過對(duì)功率半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件并聯(lián)和串聯(lián)的連接，現(xiàn)在可以轉(zhuǎn)換幾乎所有的電能源的形式，通過這種方式不但使我們能把電能轉(zhuǎn)換成其他能源形式，而且可以從別的能源形式獲得電能。