資料介紹
1、P區(qū)的摻雜粒子通常為+3價態(tài)的硼,因此P區(qū)通常存在多數(shù)載流子空穴和少數(shù)載流子電子,空穴一旦跑出去,則會剩下不能移動的負離子
2、N區(qū)的摻雜粒子通常為+5價態(tài)的磷,因此N區(qū)通常存在多數(shù)載流子電子和少數(shù)載流子空穴,電子一旦跑出去,則會剩下不能移動的正離子
特別注意:(注意此外P型半導體還有少數(shù)受本征激發(fā)產(chǎn)生的電子和空穴,這些本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子要比摻雜產(chǎn)生的少得多)
此處注意思考以下問題:在雜質(zhì)半導體中,溫度變化時,載流子的數(shù)目變化嗎?少子和多子變化的數(shù)目相同嗎?濃度變化一樣嗎?
答:實際上少數(shù)載流子變化量和多子的變化量一樣,舉例說明,少子和多子都增加一個,但少子變化1個,相對少子的本來濃度(原來比如為100)來講可能遠遠大于多子本來濃度(原來10000),少子濃度增加1%,但多子才增加萬分之一,顯然少子濃度隨溫度更敏感,后續(xù)會逐漸理解到這一點(再補充。)
3、PN結:P型半導體和N型半導體結合后,在兩者叫就出就出現(xiàn)電子和空穴的濃度差別,,而P型區(qū)內(nèi)相反,空穴很多而電子很少,而N型區(qū)內(nèi)恰恰相反,電子很多而空穴很少,這樣兩邊的電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散,因此,有些電子要從N型區(qū)域向P型區(qū)擴散,有些空穴要從P型區(qū)向N區(qū)擴散,但隨著擴散的進行,原來P區(qū)和N區(qū)中保持電中性被破壞了,P區(qū)一邊失去空穴,留下帶負電的雜質(zhì)離子(用⊙表示),N區(qū)一邊失去電子,留下帶正電的雜質(zhì)離子(用⊕表示)。這些雜質(zhì)離子雖然也帶電,但不能移動,這些不能移動的帶電粒子通常稱為空間電荷,他們集中在P區(qū)和N區(qū)交界面附近,形成一個很薄的空間電荷區(qū),這就是所謂的PN結,在這個區(qū)域里,多數(shù)載流子已擴散到對方并復合掉了,因此空間電荷區(qū)有時候又稱為耗盡區(qū)。它的電阻率很高。擴散越強,空間電荷區(qū)越寬。
由于空間電荷的出現(xiàn),在空間電荷區(qū)就形成了一個從帶正電的N區(qū)指向帶負電的P區(qū)的電場,這個電場是由載流子擴散運動形成的,不是由外加電壓形成的,很顯然這個內(nèi)電場的方向是阻止擴散的,因為這個電場的方向與載流子擴散運動方向相反。
另一方面,根據(jù)電場的方向和電子、空穴的帶電極性還可以看出,這個電場將使得N區(qū)的少數(shù)載流子(在N區(qū)的非內(nèi)電場區(qū)域在熱運動作用下會進入空間電荷區(qū))空穴向P區(qū)漂移(此處可以想象,實際上是阻止由P區(qū)擴散過來的空穴,讓其在電場作用下去往P,這正好與擴散運動方向相反),從N區(qū)漂移到P區(qū)空穴又補充了原來交界面上P區(qū)失去的空穴(原來擴散運動進行后,留下孤立的負電雜質(zhì)離子,現(xiàn)在又接受到少量從N區(qū)漂移回來的空穴,欣喜若狂得又變中性了),同理,P區(qū)的少數(shù)載流子電子也會漂移到N區(qū)與N區(qū)的帶正電雜質(zhì)離子復合,很顯然由于漂移作用,使得空間電荷區(qū)會變窄。
通過上述的擴散運動和漂移運動的描述,一方面擴散運動使得空間電荷區(qū)加寬,電場增強,使多數(shù)載流子擴散阻力增大,使少數(shù)載流子的漂移增強,而漂移使得空間電荷區(qū)變窄,電場減弱,又使得擴散容易進行。所以這兩種運動在未加外界電場的情況下始終是存在得的,當漂移運動和擴散運動相等的時候(形象的比喻從P區(qū)擴散到N區(qū)5個空穴,又漂移回去了5個空穴,這就叫相等,電子從N區(qū)到P一樣的道理),便處于動態(tài)平衡狀態(tài),此時我們便說形成了PN結。
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