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提出一種耐高溫200℃的碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。該驅(qū)動(dòng)電路采用雙極性結(jié)型晶體管（ BJT）作為開(kāi)關(guān)器件，避免了高溫下硅基MOSFET關(guān)斷能力弱化而引起的驅(qū)動(dòng)電路失效。該驅(qū)動(dòng)電路利用充電與放電兩條支路將OV/5V源驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整為-5V/18V的柵極驅(qū)動(dòng)電平。每條支路都采用自舉電容加速BJT的開(kāi)通過(guò)程，從而加快驅(qū)動(dòng)電流的建立。建立該驅(qū)動(dòng)電路的等效模型，通過(guò)該模型得到計(jì)算驅(qū)動(dòng)電路中四個(gè)主要無(wú)源器件的等式以及主要無(wú)源器件與BJT電流放大系數(shù)之間的關(guān)系，并以此確定溫度補(bǔ)償策略。在85V/14.5A的負(fù)載條件，不同溫度對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行雙脈沖測(cè)試，可知MOSFET的開(kāi)通暫態(tài)時(shí)間隨溫度升高由13 3.6ns縮短為112.4ns，而關(guān)斷暫態(tài)時(shí)間由99.2ns增加到109.8ns。溫度對(duì)其影響主要體現(xiàn)在隨溫度升高，碳化硅MOSFET的跨導(dǎo)增大，米勒平臺(tái)降低，進(jìn)而影響開(kāi)關(guān)過(guò)程的時(shí)間。
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