資料介紹
??????? 設(shè)計(jì)了一種采用0.6μmCMOS工藝的低功耗差動(dòng)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。在設(shè)計(jì)中采用
兩個(gè)pn結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)來(lái)減小運(yùn)放失調(diào)電壓的影響,并采用自偏置共源共柵運(yùn)放來(lái)改善MOS器件對(duì)電源的依賴性。這種帶隙基準(zhǔn)源輸出電壓為2V,功耗為2.3mW,溫度系數(shù)可達(dá)到13ppm/℃,主要適用于高精度模擬系統(tǒng),并帶有提高電源抑制比電路和啟動(dòng)電路。
關(guān)鍵詞: CMOS 低功耗 基準(zhǔn)電壓源
???????? 隨著集成電路工藝和設(shè)計(jì)水平的發(fā)展,在模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)等混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)中,高性能的電壓基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)已成為關(guān)鍵技術(shù)之一。由于電壓基準(zhǔn)源的溫度穩(wěn)定性以及抗噪聲能力是影響A/D、D/A 轉(zhuǎn)換精度的關(guān)鍵因素, 甚至影響到整個(gè)系統(tǒng)的精度和性能。因此, 設(shè)計(jì)一個(gè)好的基準(zhǔn)電壓源具有十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。電壓基準(zhǔn)源有基于正向VBE的電壓基準(zhǔn)、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準(zhǔn)、帶隙電壓基準(zhǔn)等多種。其中,帶隙電壓基準(zhǔn)具有低溫度系數(shù)、低基準(zhǔn)電壓、高電源抑制比、長(zhǎng)期穩(wěn)定性并且可與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),因而得到廣泛的研究應(yīng)用。
兩個(gè)pn結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)來(lái)減小運(yùn)放失調(diào)電壓的影響,并采用自偏置共源共柵運(yùn)放來(lái)改善MOS器件對(duì)電源的依賴性。這種帶隙基準(zhǔn)源輸出電壓為2V,功耗為2.3mW,溫度系數(shù)可達(dá)到13ppm/℃,主要適用于高精度模擬系統(tǒng),并帶有提高電源抑制比電路和啟動(dòng)電路。
關(guān)鍵詞: CMOS 低功耗 基準(zhǔn)電壓源
???????? 隨著集成電路工藝和設(shè)計(jì)水平的發(fā)展,在模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)等混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)中,高性能的電壓基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)已成為關(guān)鍵技術(shù)之一。由于電壓基準(zhǔn)源的溫度穩(wěn)定性以及抗噪聲能力是影響A/D、D/A 轉(zhuǎn)換精度的關(guān)鍵因素, 甚至影響到整個(gè)系統(tǒng)的精度和性能。因此, 設(shè)計(jì)一個(gè)好的基準(zhǔn)電壓源具有十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。電壓基準(zhǔn)源有基于正向VBE的電壓基準(zhǔn)、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準(zhǔn)、帶隙電壓基準(zhǔn)等多種。其中,帶隙電壓基準(zhǔn)具有低溫度系數(shù)、低基準(zhǔn)電壓、高電源抑制比、長(zhǎng)期穩(wěn)定性并且可與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),因而得到廣泛的研究應(yīng)用。
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