資料介紹
一種新型陽(yáng)極氧化多孔硅技術(shù):在適當(dāng)條件下氧化多孔硅是提高多孔硅發(fā)光強(qiáng)度的良好途徑,提出了一種新型陽(yáng)極氧化方法,并探討了該方法所涉及的陽(yáng)極氧化條件。采用含CH3CSNH2 的HF 酸水溶液作為氧化劑對(duì)初始多孔硅進(jìn)行了濕法陽(yáng)極氧化,發(fā)現(xiàn)氧化使多孔硅光致發(fā)光性質(zhì)得到極大改善,進(jìn)而研究了氧化電流、氧化溫度、氧化時(shí)間等一系列因素對(duì)氧化多孔硅光致發(fā)光強(qiáng)度的影響,并給出了合理解釋。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在1 mA ,10 min ,60 ℃的氧化條件下,采用陽(yáng)極氧化技術(shù)使多孔硅發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)了18 倍。
關(guān) 鍵 詞: 多孔硅(PS) ; 濕法氧化; 光致發(fā)光(PL)
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