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標簽 > 光刻技術
隨著半導體技術的發(fā)展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量級(從毫米級到亞微米級),已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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光刻工藝流程示意圖:半導體制造的核心環(huán)節(jié)
光刻材料一般特指光刻膠,又稱為光刻抗蝕劑,是光刻技術中的最關鍵的功能材料。這類材料具有光(包括可見光、紫外光、電子束等)反應特性,經過光化學反應后,其溶...
集成電路制造關鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強度、高彈性模量、高導熱系數和低熱膨脹系數等特點,且且結構件要具有極高的尺寸精度和結構復雜性,...
近日,日本沖繩科學技術大學院大學(OIST)發(fā)布了一項重大研究報告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術。這一創(chuàng)新技術超越了當前半導體...
近日,比利時微電子研究中心(IMEC)與全球光刻技術領軍企業(yè)阿斯麥(ASML)共同宣布,在荷蘭費爾德霍芬正式啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室。
臺積電轉變態(tài)度?秘密訪問ASML總部引發(fā)行業(yè)關注
宿敵英特爾則積極投身于新興高數值孔徑超紫外光刻領域,已有數臺設備投入其芯片制造部門使用。據透露,英特爾正計劃在即將推出的18A(1.8納米)工藝節(jié)點中試...
據彭博社3月15日報道,三星電子有望從美國政府獲得逾60億美元的《CHIP》法案補貼。該公司目前正在美國得克薩斯州新建一座工廠,此前計劃于今年7月開始...
電子發(fā)燒友網報道(文/李寧遠)提及芯片制造,首先想到的自然是光刻機和光刻技術。而眾所周知,EUV光刻機產能有限而且成本高昂,業(yè)界一直都在探索不完全依賴于...
2024-03-09 標簽:光刻技術 3765 0
近期的演示會上,美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得...
英特爾:預計2027年末10A節(jié)點投產,投資千億美元擴大晶圓制造
根據先前記載,10A將會是英特爾繼使用High-NA EUV光刻技術的首批主要節(jié)點之后的第二例,預計可呈現出超過10%的每瓦性能改善。
Fab 34是英國在歐洲如今唯一運用-極紫外線(EUV)光刻技術的芯片制作基地,負責生產英特爾第四代Intel 4工藝的生產力工具如Meteor Lak...
Imec 與三井化學公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,將用于 EUV 光刻技術的 CNT 薄膜技術商業(yè)化
來源:半導體芯科技 SiSC編譯 魯汶(比利時),2023 年 12 月 14 日 — 世界領先的納米電子和數字技術研究和創(chuàng)新中心 Imec 與日本領先...
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