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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 188 0

碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

碳化硅(SiC)功率器件是近年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件,SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能,廣泛應(yīng)用于電力...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 140 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 161 0

功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案

功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案

功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來(lái),我國(guó)功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過(guò)持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...

2024-09-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 121 0

IGBT熱管理解決方案

IGBT熱管理解決方案

自20世紀(jì)80年代開(kāi)發(fā)以來(lái),IGBT已成為風(fēng)能、太陽(yáng)能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...

2024-09-12 標(biāo)簽:IGBT功率器件熱管理 138 0

碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來(lái)了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 163 0

碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 172 0

碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(S...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 131 0

碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢(shì)

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性,...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 106 0

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 136 0

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們...

2024-09-10 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 233 0

什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?

SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 139 0

CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么

CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來(lái)說(shuō),它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

2024-09-07 標(biāo)簽:晶體管功率器件GaN 193 0

如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

由于對(duì)提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中,高溫和溫度波動(dòng)限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...

2024-09-03 標(biāo)簽:芯片功率器件功率模塊 138 0

芯干線科技GaN功率器件及應(yīng)用

芯干線科技GaN功率器件及應(yīng)用

第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...

2024-08-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 213 0

探究電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

探究電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì),其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...

2024-08-19 標(biāo)簽:電感驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 140 0

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOSFET雪崩擊穿功率器件 399 0

推挽式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)及工作原理

推挽式開(kāi)關(guān)電源是一種常見(jiàn)的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開(kāi)關(guān)電源中,MOS管是核心的功率器件之一,其性能直接影響到整個(gè)電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...

2024-08-15 標(biāo)簽:電子設(shè)備功率器件電源拓?fù)?/a> 451 0

DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用

DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用

派恩杰半導(dǎo)體,中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌,主營(yíng)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、白色家電、...

2024-08-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 284 0

功率器件功率循環(huán)測(cè)試原理詳解

功率器件功率循環(huán)測(cè)試原理詳解

功率半導(dǎo)體器件,特別是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),在新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電...

2024-08-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝功率器件 359 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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