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功率開關(guān)器件

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文章:18個(gè) 瀏覽:8134 帖子:1個(gè)

功率開關(guān)器件技術(shù)

簡單分析一下五段式SVPWM和七段式SVPWM的不同點(diǎn)

SVPWM的實(shí)現(xiàn)在前期的文章中已經(jīng)詳細(xì)地介紹過了,這里就不再闡述?,F(xiàn)在主要說說五段式SVPWM和七段式SVPWM的實(shí)現(xiàn)的區(qū)別。

2023-03-07 標(biāo)簽:dspSVPWM仿真系統(tǒng) 9253 0

雙脈沖測試之開關(guān)特性參數(shù)講解

功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動(dòng)態(tài)特性參數(shù),開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機(jī)或者源表等設(shè)...

2023-02-22 標(biāo)簽:二極管參數(shù)脈沖測試 6106 0

5分鐘帶你全面了解功率開關(guān)器件雙脈沖測試

雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過程中的...

2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測試功率開關(guān)器件 3874 0

使用功率開關(guān)器件如何選擇驅(qū)動(dòng)芯片

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使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí),往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個(gè)剛好夠...

2022-04-28 標(biāo)簽:電阻驅(qū)動(dòng)芯片功率開關(guān)器件 2497 0

igbt啟動(dòng)最低電壓多少伏正常

IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...

2024-03-12 標(biāo)簽:電壓IGBT集電極 2439 0

igbt與igct的區(qū)別

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和IGCT(Integrated Gate Commutated Thyr...

2023-12-25 標(biāo)簽:晶閘管IGBT電力電子 1963 0

PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器功率開關(guān)器件的對偶

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半導(dǎo)體開關(guān)器件是有極性的,因此在用開通與關(guān)斷互為對偶這一基本原則,以決定開關(guān)管或開關(guān)二極管的對偶器件時(shí),要注意它們的極性。當(dāng)然,二極管的對偶器件還是二極...

2014-07-31 標(biāo)簽:DC/DCPWM功率開關(guān)器件 1783 0

晶閘管應(yīng)用電路分析

晶閘管作為一種功率開關(guān)器件,因其與繼電器相比有無觸點(diǎn)、使用壽命長的優(yōu)點(diǎn),常替代繼電器用于大功率電路控制中

2023-03-13 標(biāo)簽:三極管二極管晶閘管 1758 0

逆變電路中的功率開關(guān)器件介紹

逆變電路中的功率開關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件,其主要作用是在控制信號(hào)的作用下,將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中,功率開關(guān)器...

2023-12-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變電路功率開關(guān)器件 1668 0

單相全橋逆變電路移相調(diào)壓方式的工作原理? 單相全橋逆變器的模式

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單相全橋逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種電力系統(tǒng)和電力設(shè)備中。在單相全橋逆變電路中,移相調(diào)壓方式是一種常用的控制方式...

2024-07-08 標(biāo)簽:電子設(shè)備電力設(shè)備功率開關(guān)器件 1407 0

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功率開關(guān)器件資訊

三款功率變換電路圖詳解

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變壓器連接在四橋臂中間,相對的兩對功率開關(guān)器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導(dǎo)通或截止,使變壓器的二次側(cè)有功率輸出。

2020-04-02 標(biāo)簽:功率開關(guān)器件功率變換電路 1.3萬 0

Si襯底GaN基功率開關(guān)器件的發(fā)展?fàn)顩r

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在電力電子控制系統(tǒng)中,為了保證系統(tǒng)失效安全,器件必須具備常關(guān)型的工作特性。

2019-08-01 標(biāo)簽:GaN功率開關(guān)器件 4120 0

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開...

2011-05-31 標(biāo)簽:英飛凌IGBTRC-D 1739 0

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時(shí)

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2023-12-05 標(biāo)簽:柵極源極功率開關(guān)器件 342 0

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功率開關(guān)器件數(shù)據(jù)手冊

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瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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