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標(biāo)簽 > 功率開關(guān)器件
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簡單分析一下五段式SVPWM和七段式SVPWM的不同點(diǎn)
SVPWM的實(shí)現(xiàn)在前期的文章中已經(jīng)詳細(xì)地介紹過了,這里就不再闡述?,F(xiàn)在主要說說五段式SVPWM和七段式SVPWM的實(shí)現(xiàn)的區(qū)別。
2023-03-07 標(biāo)簽:dspSVPWM仿真系統(tǒng) 9253 0
功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動(dòng)態(tài)特性參數(shù),開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機(jī)或者源表等設(shè)...
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過程中的...
2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測試功率開關(guān)器件 3874 0
使用功率開關(guān)器件如何選擇驅(qū)動(dòng)芯片
使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí),往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個(gè)剛好夠...
2022-04-28 標(biāo)簽:電阻驅(qū)動(dòng)芯片功率開關(guān)器件 2497 0
IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和IGCT(Integrated Gate Commutated Thyr...
PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器功率開關(guān)器件的對偶
半導(dǎo)體開關(guān)器件是有極性的,因此在用開通與關(guān)斷互為對偶這一基本原則,以決定開關(guān)管或開關(guān)二極管的對偶器件時(shí),要注意它們的極性。當(dāng)然,二極管的對偶器件還是二極...
2014-07-31 標(biāo)簽:DC/DCPWM功率開關(guān)器件 1783 0
晶閘管作為一種功率開關(guān)器件,因其與繼電器相比有無觸點(diǎn)、使用壽命長的優(yōu)點(diǎn),常替代繼電器用于大功率電路控制中
逆變電路中的功率開關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件,其主要作用是在控制信號(hào)的作用下,將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中,功率開關(guān)器...
2023-12-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變電路功率開關(guān)器件 1668 0
單相全橋逆變電路移相調(diào)壓方式的工作原理? 單相全橋逆變器的模式
單相全橋逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種電力系統(tǒng)和電力設(shè)備中。在單相全橋逆變電路中,移相調(diào)壓方式是一種常用的控制方式...
2024-07-08 標(biāo)簽:電子設(shè)備電力設(shè)備功率開關(guān)器件 1407 0
類別:電源技術(shù) 2014-11-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器功率開關(guān)器件 958 1
雙輸出驅(qū)動(dòng)器UC1706系列數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-01 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率開關(guān)器件 93 0
變壓器連接在四橋臂中間,相對的兩對功率開關(guān)器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導(dǎo)通或截止,使變壓器的二次側(cè)有功率輸出。
2020-04-02 標(biāo)簽:功率開關(guān)器件功率變換電路 1.3萬 0
Si襯底GaN基功率開關(guān)器件的發(fā)展?fàn)顩r
在電力電子控制系統(tǒng)中,為了保證系統(tǒng)失效安全,器件必須具備常關(guān)型的工作特性。
2019-08-01 標(biāo)簽:GaN功率開關(guān)器件 4120 0
英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開...
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時(shí)
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 標(biāo)簽:柵極源極功率開關(guān)器件 342 0
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