據(jù)路透社報道,三星電子已決定放棄原先一直采用的非導電薄膜 (NCF) 技術(shù),轉(zhuǎn)而采納其競爭對手SK海力士主導的批量回流模制底部填充 (MR-MUF) 芯片封裝工藝。此外,三星已啟動采購設(shè)備以適應MR-MUF技術(shù),并預計最早明年實現(xiàn)HBM3E高端芯片的量產(chǎn)。
就此,知情人士指出,三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業(yè)分析機構(gòu)表示,考慮到AI行業(yè)對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調(diào)整。
據(jù)了解,目前三星HBM3芯片制造良率約為10%-20%,而SK海力士則接近60%-70%。為滿足市場需求,三星也正積極尋求多種途徑提高HBM芯片產(chǎn)量。
值得一提的是,除了與材料供應商如日本長瀨集團協(xié)商供貨外,三星還計劃在新款HBM芯片中同時運用NCF和MUF兩種技術(shù)。但官方表示,其自主研發(fā)的NCF技術(shù)仍為HBM產(chǎn)品的“最佳選擇”,將應用于其HBM3E芯片的生產(chǎn)。面對三星的發(fā)展方向,英偉達和長瀨均未予以評論。
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