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半導(dǎo)體工藝

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半導(dǎo)體工藝技術(shù)

半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料大盤點(diǎn)

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本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料,其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料,最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝,具體的...

2018-05-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體工藝 7.1萬 1

什么是半導(dǎo)體工藝制程,16nm、10nm都代表了什么

隨著智能手機(jī)的發(fā)展,半導(dǎo)體工藝也急速提升,從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭相發(fā)布最新的工藝制程,讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知...

2018-06-10 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電cpu 4.8萬 0

IC封裝形式及工藝介紹圖解,不可錯(cuò)過

IC封裝,就是指把硅片上的電路管腳,用導(dǎo)線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。

2017-09-20 標(biāo)簽:ic封裝半導(dǎo)體工藝 2.8萬 0

詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET

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FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。

2017-02-04 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝 1.6萬 0

詳解硅的晶面及應(yīng)用

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研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對(duì)其進(jìn)行各向異性濕法腐蝕,從而制備出不同的結(jié)構(gòu),這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。

2024-01-11 標(biāo)簽:硅片金剛石單晶硅 1.3萬 0

晶圓臨時(shí)鍵合及解鍵合工藝技術(shù)介紹

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InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性,導(dǎo)致100 mm(4 英寸)InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險(xiǎn);同時(shí),InP 基化合物半導(dǎo)體...

2023-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體工藝 1.2萬 0

Intel和AMD合作打造一款處理器核顯Vega曝光

關(guān)于Intel和AMD合作打造一款處理器的傳言已久,盡管前者否認(rèn)新品計(jì)劃,但就像新聞圈那句“否認(rèn)即承認(rèn)”一樣,總是有新的佐證出來。

2017-10-11 標(biāo)簽:AMDIntel半導(dǎo)體工藝 7457 0

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

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單晶爐,全自動(dòng)直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)狻⒑鉃橹鳎┉h(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。

2023-05-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝流量控制器單晶爐 7036 0

深度解析EUV光刻工藝技術(shù)

光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞,也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么,讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。

2022-10-18 標(biāo)簽:EUV半導(dǎo)體工藝三星 4361 0

高導(dǎo)熱PCB材料,將解決散熱難題

在標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)測試方法和模型中,假設(shè)材料是各向同性且只通過平面的導(dǎo)熱系數(shù);通常采用平面散熱的方法去降低熱點(diǎn)溫度,增加整個(gè)區(qū)域的熱傳遞。而世強(qiáng)92ML方案則...

2017-01-03 標(biāo)簽:PCB自動(dòng)布線半導(dǎo)體工藝 3619 0

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半導(dǎo)體工藝帖子

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半導(dǎo)體工藝資訊

半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的主要設(shè)備匯總

中國半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)將是重要環(huán)節(jié),其中需要更多的創(chuàng)新,才能引領(lǐng)中國半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展,并推動(dòng)我國芯片工藝制程和技術(shù)跨越式提升。

2018-05-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體工藝 9.1萬 1

CPU制造全過程,先從晶圓談起!

對(duì)于PC而言,CPU的規(guī)格與頻率常常被用來作為衡量一臺(tái)電腦性能強(qiáng)弱重要指標(biāo)。Intelx86架構(gòu)已經(jīng)經(jīng)歷了二十多個(gè)年頭,而x86架構(gòu)的CPU對(duì)我們大多數(shù)...

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28nm工藝制程角力,中國能否跟上

 在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm,2009年達(dá)到32nm,2011...

2014-04-01 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電半導(dǎo)體工藝 8508 0

應(yīng)用材料新布線技術(shù)為3nm工藝做出突破

應(yīng)用材料公司說,它已經(jīng)在芯片布線方面取得了突破,這將使半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)小型化到芯片,使電路之間的寬度可以只有30億分之一米。目前的芯片工廠生產(chǎn)7納米和5納...

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梁孟松加入中芯國際,能否在制程發(fā)展上有所突破

日前,不斷傳出前臺(tái)積電研發(fā)處長梁孟松將加盟中國半導(dǎo)體代工大廠中芯國際的消息,但是一直遭到中芯國際方面的否認(rèn)。而 16 日該項(xiàng)消息終于獲得證實(shí),中芯國際董...

2017-10-18 標(biāo)簽:中芯國際半導(dǎo)體工藝梁孟松 7075 0

TCAD基礎(chǔ)知識(shí)介紹

TCAD基礎(chǔ)知識(shí)介紹

TCAD就是Technology Computer Aided Design,指半導(dǎo)體工藝模擬以及器件模擬工具,世界上商用的TCAD工具有Silvaco...

2023-01-24 標(biāo)簽:套件TCAD半導(dǎo)體工藝 6400 0

中芯國際聚焦于MEMS與功率器件 為未來工藝市場添薪加柴

中芯國際告訴DIGITIMES,隨著智能化社會(huì)的到來,智能化設(shè)備中應(yīng)用廣泛的微機(jī)電和功率器件市場需求激增,目前市場處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。中芯國際看好,未來...

2018-05-28 標(biāo)簽:中芯國際mems功率器件 6297 0

國內(nèi)最大三家封測廠,上半年財(cái)報(bào)大PK

我國集成電路封測業(yè)基本上以中低端封裝產(chǎn)品為主,產(chǎn)品種類繁多,隨著智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興技術(shù)的蓬勃發(fā)展,集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)更成為各家封測公...

2017-09-05 標(biāo)簽:封測半導(dǎo)體工藝長電科技 6156 0

全民聚焦FinFET,下一代晶體管技術(shù)何去何從

在近期內(nèi),從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù),有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但...

2014-02-25 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝 5347 2

目標(biāo)2022年量產(chǎn)!臺(tái)積電3nm工廠邁出重要一步

臺(tái)積電3nm建廠投資案跨出重要一步,環(huán)保署昨天初審?fù)ㄟ^「臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」,該案主要是科技部因應(yīng)臺(tái)積3nm廠投資計(jì)劃提...

2018-08-16 標(biāo)簽:臺(tái)積電10nm半導(dǎo)體工藝 4281 0

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半導(dǎo)體工藝數(shù)據(jù)手冊(cè)

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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