半導(dǎo)體技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)知識(shí)

• 

  利用硅半導(dǎo)體技術(shù)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器

  市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)和開發(fā)歷程 近年來(lái)，隨著智能手機(jī)等設(shè)備的功能增加和性能提升，對(duì)小型、薄型且支持高密度安裝的電容器的需求日益增

  2024-08-09 標(biāo)簽： 電容器 半導(dǎo)體技術(shù) Rohm 6880 1

• 如何判斷cmos有無(wú)燒壞

  CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）是一種廣泛應(yīng)用于集成電路制造的半導(dǎo)體技術(shù)。CMOS電路具有低功耗、高集成度和良好的擴(kuò)展性

  2024-07-30 標(biāo)簽： CMOS 計(jì)算機(jī) 半導(dǎo)體技術(shù) 426 0

• 歐盟與韓國(guó)合作推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)

  來(lái)源：INNOVATION NEWS NETWORK 歐盟與韓國(guó)簽署了合作開發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)的協(xié)議。 該合作伙伴關(guān)系將共同資

  2024-07-26 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體技術(shù) 218 0

• GD300HFL120C2S是高頻模塊嗎

  GD300HFL120C2S 是一種高頻模塊，通常用于射頻放大器、射頻功率放大器、射頻信號(hào)發(fā)生器等應(yīng)用。以下是關(guān)于 GD

  2024-07-25 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體技術(shù) 信號(hào)發(fā)生器 射頻放大器 224 0

• CMOS集成電路的定義及特點(diǎn)？CMOS集成電路的保護(hù)措施有哪些？

  CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）集成電路是一種廣泛使用的半導(dǎo)體技術(shù)，用于構(gòu)建各種電子電路和集成電路。

  2024-05-28 標(biāo)簽： 集成電路 CMOS 半導(dǎo)體技術(shù) 687 0

• 

  杰理科技榮獲”2024年度中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)”

  2024國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shanghai）3月29日在上海張江科學(xué)會(huì)堂隆重舉行。作為半導(dǎo)體行業(yè)的知名

  2024-04-02 標(biāo)簽： IC設(shè)計(jì) 半導(dǎo)體技術(shù) 藍(lán)牙音頻 413 0

• 小米氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

  小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個(gè)方面有所不同。在這篇文章中將詳細(xì)討論小米氮化鎵充電器與普通充

  2024-01-10 標(biāo)簽： 充電器 半導(dǎo)體技術(shù) 氮化鎵 3704 0

• 氮化鎵技術(shù)的用處是什么

  氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國(guó)防等領(lǐng)域。本文

  2024-01-09 標(biāo)簽： 功率放大器 電子設(shè)備 半導(dǎo)體技術(shù) 1266 0

• 

  SiC外延層的缺陷控制研究

  探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。

  2024-01-08 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體技術(shù) SiC 1617 0

• 德州儀器如何致力于推動(dòng)汽車電氣化和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)的發(fā)展

  65 年前，德州儀器工程師 Jack Kilby 成功發(fā)明出世界上第一顆集成電路。這個(gè)設(shè)計(jì)徹底改變了我們的世界，為現(xiàn)代信

  2023-10-25 標(biāo)簽： 電動(dòng)汽車 德州儀器 半導(dǎo)體技術(shù) 1188 0

展開查看更多