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標簽 > 半導體晶圓
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制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級或更高。
研究人員對使用化學氣相沉積 (CVD) 生長的 6 英寸石墨烯層進行了處理,并使用 Graphenea 的專利轉(zhuǎn)移工藝轉(zhuǎn)移到半導體晶圓上。根據(jù)行業(yè)標準,...
通常來說,對于小芯片減薄劃片時使用UV膜,對于大芯片減薄劃片時使用藍膜,因為,UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強度來控制,防止芯片在抓取的過程中漏...
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