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標(biāo)簽 > 多晶硅
多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。
多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。
利用價值：從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。
利用價值：從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。
多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。
當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會在多晶...
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。
從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進(jìn)行錘擊達(dá)到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強(qiáng)度使用下也不容易磨損。
inFET 技術(shù)有幾個含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計者決定的。這意味著每個晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...
離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來監(jiān)測航空發(fā)動機(jī)、重型燃?xì)廨啓C(jī)、燃煤燃?xì)忮仩t等動力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。
多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。
控制多晶硅（poly-Si）/4H-SiC異質(zhì)結(jié)二極管能壘高度（ΦB）的方法立即下載
類別：模擬數(shù)字論文 2024-04-23 標(biāo)簽：多晶硅電流二極管
多晶硅生產(chǎn)污水處理設(shè)備數(shù)據(jù)采集方案
多晶硅作為一種關(guān)鍵的功能材料，在集成電路、晶體管、太陽能電池等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。然而，多晶硅生產(chǎn)過程中需要使用大量的水，如冷卻水、清洗水、反應(yīng)水等。這...
2024-09-02 標(biāo)簽：多晶硅數(shù)據(jù)采集 70 0
光伏產(chǎn)業(yè)鏈2024年上半年強(qiáng)勁增長，引領(lǐng)全球綠色能源轉(zhuǎn)型
隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮某掷m(xù)攀升，中國光伏產(chǎn)業(yè)在2024年上半年展現(xiàn)出了前所未有的強(qiáng)勁增長態(tài)勢，各環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)均創(chuàng)歷史新高，不僅鞏固了中國在全球光伏領(lǐng)域的...
天合光能再度登上《新聞聯(lián)播》，700W+光伏組件實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展
4月6日，繼央視《新聞聯(lián)播》全國兩會高頻報道天合光能之后，時隔一月再度關(guān)注天合光能青海基地生產(chǎn)700W+超大功率光伏組件，并與當(dāng)?shù)厣舷掠纹髽I(yè)實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展。
蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗證
蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考...
國內(nèi)首顆車載LCD顯示屏電源管理芯片EPA9900量產(chǎn)
數(shù)智時代，在汽車產(chǎn)業(yè)電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化趨勢推動下，車載顯示正朝著多屏、大尺寸、高清方向蓬勃發(fā)展，帶動車規(guī)級顯示屏電源管理芯片（PMIC）需求不斷上漲。
單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別? 單晶光伏板和多晶光伏板是目前最常用的兩種太陽能光伏電池板。它們在材料、生產(chǎn)工藝、性能和成本等方面存在一些明顯的區(qū)別。本文...
千億光伏巨頭通威股份以280億逆勢擴(kuò)產(chǎn)！
需要提及的是，年內(nèi)四度宣布擴(kuò)產(chǎn)的背景，則是硅料價格一路下滑。根據(jù)硅業(yè)分會數(shù)據(jù)顯示，截至12月20日，當(dāng)周N型硅料成交區(qū)間在6.5-7萬元/噸，成交均價為...
2023-12-29 標(biāo)簽：多晶硅光伏產(chǎn)業(yè) 598 0
太陽能電池特性? 太陽能電池是一種利用光能直接轉(zhuǎn)化成電能的裝置。它是目前可再生能源領(lǐng)域最常見也是最常用的裝置之一。太陽能電池具有很多特性，下面將詳細(xì)介紹...
國內(nèi)第一片300mm射頻（RF）SOI晶圓的關(guān)鍵技術(shù)
多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù)，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系；此外，由于多晶...
內(nèi)蒙古鑫華半導(dǎo)體超28億元多晶硅項目月底竣工
據(jù)報道，內(nèi)蒙古鑫華半導(dǎo)體科技有限公司有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，該項目投資約28億元，產(chǎn)值約24億元，可生產(chǎn)1萬噸電子級硅。鑫華是目前國內(nèi)最大的半導(dǎo)體多晶硅供應(yīng)企業(yè)。
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