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寄生電感

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寄生電感技術(shù)

IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)

IGBT模塊采用吸收電路時(shí)，典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨著吸收電容充電，瞬態(tài)電壓再次上升。第二次上升峰值△U...

2024-08-05 標(biāo)簽：二極管電容 IGBT 463 0

GaNSense?半橋IC可提高效率并降低成本，賦能電機(jī)集成逆變器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)消耗了歐洲近50%的電力，因此政府制定了相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)，以確保盡可能高效地使用電力，同時(shí)盡量減少對(duì)電網(wǎng)的影響和擾亂。

2024-05-30 標(biāo)簽：逆變器電平轉(zhuǎn)換器寄生電感 349 0

基于ADI LTC1871的實(shí)例分析穩(wěn)壓器PCB布局帶來的影響

講解如何利用LTC1871 升壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的仿真電路來檢查開關(guān)波形，并觀察寄生電感變化時(shí)的 PCB 布局。

2024-05-16 標(biāo)簽：pcb adi 穩(wěn)壓器 421 0

安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件

近年來，工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。

2024-05-06 標(biāo)簽：MOSFET 寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 1006 0

如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲

降壓轉(zhuǎn)換器IC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲，緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一，本節(jié)簡(jiǎn)述如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲。

2024-04-30 標(biāo)簽：DC-DC 寄生電感緩沖電路 757 0

PFC頻繁炸機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路原理分析

用FAN73711浮驅(qū)芯片，在起機(jī)時(shí)沒有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象，基本能夠正常工作，但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會(huì)發(fā)生炸機(jī)，比如在源跳變時(shí)會(huì)發(fā)生PFC炸機(jī)。

2024-04-15 標(biāo)簽：pcb MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1582 0

基于ANSYS的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的數(shù)字設(shè)計(jì)方案

寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體需要具有更低的寄生電感和電容的封裝。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，提出了新的包裝解決方案，以增加集成度。

2024-03-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源模塊 ANSYS 426 0

電路PCB的地平面設(shè)計(jì)對(duì)EMI的影響

在電路PCB設(shè)計(jì)中，地平面設(shè)計(jì)是一個(gè)重要的組成部分，PCB地平面的設(shè)計(jì)不僅關(guān)乎到電子產(chǎn)品的工作性能，而且對(duì)于EMC方面的影響也是息息相關(guān)。

2024-03-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源 emi PCB設(shè)計(jì) 2564 0

什么是寄生電感？如何計(jì)算過孔的寄生電感？

在PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）設(shè)計(jì)中，過孔寄生電感是一個(gè)重要的考慮因素。當(dāng)電流通過PCB的過孔時(shí)，由于過孔的幾何形狀和布...

2024-03-15 標(biāo)簽：pcb 過孔寄生電感 1916 0

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢？

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，...

2024-03-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車散熱器 SiC 1377 1

寄生電感帖子

芯片的接電源端要用一個(gè)大電容和小電容接地是什么原因？

標(biāo)簽：電容器寄生電感 2096 4

掌握PCB布線的一些常用規(guī)則

標(biāo)簽：BGA封裝 PCB布線寄生電感 610 0

電容器的雜散電感和寄生電感的區(qū)別是什么？

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什么是三端子電容？片狀三端子電容器的安裝方法

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如何理解在電源瞬間上電時(shí)并一個(gè)電阻的情況呢？

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TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

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SiC器件在新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望

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電源系統(tǒng)的各種電容的值和數(shù)量是如何確定的

標(biāo)簽：電容電源系統(tǒng)寄生電感 1431 1

模塊化結(jié)構(gòu)與同容量分立器件結(jié)構(gòu)的不同

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如何提高VMMK器件的性能？

標(biāo)簽：晶圓射頻放大器寄生電感 1527 1

寄生電感資料下載

壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-08-08 標(biāo)簽：IGBT 寄生電感動(dòng)態(tài)特性 272 0

【科普文】寄生電感怎么來的？立即下載

類別：可編程邏輯 2021-03-01 標(biāo)簽：寄生電感 1551 0

寄生電感怎么來的？立即下載

類別：嵌入式開發(fā) 2021-01-22 標(biāo)簽：寄生電感 804 0

淺析射頻VMMK器件怎樣提高性能立即下載

類別：射頻無線論文 2017-11-09 標(biāo)簽：射頻寄生電感 vmmk器件 828 0

并聯(lián)增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管提高轉(zhuǎn)換器性能立即下載

類別：電子書籍 2012-06-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管寄生電感開關(guān)閾值電壓 1029 0

寄生電感資訊

AMEYA360代理 | 村田電子去寄生電感降噪元件(LCT)特點(diǎn)和規(guī)格

株式會(huì)社村田制作所(以下簡(jiǎn)稱“村田”)開發(fā)了行業(yè)首款(1)利用負(fù)互感(2)、能對(duì)從數(shù)MHz到1GHz的諧波(3)范圍內(nèi)電源噪聲進(jìn)行抑制的去寄生電感降噪元...

2024-05-29 標(biāo)簽：電路板寄生電感村田電子 190 0

宏微科技推出分別針對(duì)汽車800V平臺(tái)和增程式混動(dòng)的兩款I(lǐng)GBT模塊

宏微科技本次推出適合汽車800V平臺(tái)電驅(qū)控制器的產(chǎn)品 MMG600V120X6RS，以及針對(duì)1.5L增程器70KW GCU的產(chǎn)品 MMG280VD075...

2024-04-12 標(biāo)簽：新能源汽車控制器寄生電感 770 0

聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)

2024年3月，聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋...

2024-04-01 標(biāo)簽：逆變器 Boost SiC 861 0

PowerPAIR 3x3 FS 封裝80 V對(duì)稱雙通道MOSFET

RDS(ON) 達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，提高功率密度、能效和熱性能

2024-03-08 標(biāo)簽：pcb MOSFET 邏輯電平 372 0

寄生電感到底是什么？如何計(jì)算過孔的寄生電感？

從式中可以看出：過孔的直徑對(duì)寄生電感的影響較小，而長度才是影響寄生電感的關(guān)鍵因素。所以，在設(shè)計(jì)電路板時(shí)，要盡量減小過孔的長度，以提高電路的性能。

2024-02-27 標(biāo)簽：電流寄生電感 890 0

寄生電感的介紹

2023-11-29 標(biāo)簽：芯片寄生電感 1797 0

寄生電感的影響

2023-11-29 標(biāo)簽：芯片 PCB MOS管 762 0

應(yīng)用于200kW及以上光伏逆變系統(tǒng)的1000V-400A ANPC三電平模塊

JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊，產(chǎn)品型號(hào)為 JG3R400AL100HT。

2023-11-20 標(biāo)簽：寄生電感光伏逆變系統(tǒng) 683 0

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后，近日，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOS...

2023-10-24 標(biāo)簽：封裝寄生電感 MOSFET器件 1002 0

如何減少導(dǎo)線的寄生電感？

如何減少導(dǎo)線的寄生電感？? 引言：隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，對(duì)于高速數(shù)據(jù)傳輸和高頻信號(hào)的傳輸要求也越來越高。然而電學(xué)特性的限制使得對(duì)導(dǎo)線的寄生電感逐漸成...

2023-09-05 標(biāo)簽：高頻電路寄生電感 5256 0

寄生電感數(shù)據(jù)手冊(cè)

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電源濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路，又名“電源EMI濾波器”，或是“EMI電源濾波器”，一種無源雙向網(wǎng)絡(luò)，它的一端是電源，另一端是負(fù)載。電源濾波器的原理就是一種——阻抗適配網(wǎng)絡(luò)：電源濾波器輸入、輸出側(cè)與電源和負(fù)載側(cè)的阻抗適配越大，對(duì)電磁干擾的衰減就越有效。
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電流保護(hù)classical control theory，電力術(shù)語，當(dāng)線路發(fā)生短路時(shí)，重要特征之一是線路中的電流急劇增大，當(dāng)電流流過某一預(yù)定值時(shí)，反應(yīng)于電流升高而動(dòng)作的保護(hù)裝置叫過電流保護(hù)。當(dāng)線路發(fā)生短路時(shí)，重要特征之一是線路中的電流急劇增大，這就需要設(shè)置相應(yīng)的當(dāng)電流流過某一預(yù)定值時(shí)，反應(yīng)于電流升高而動(dòng)作的保護(hù)裝置叫過電流保護(hù)。
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