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揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化(IDM)的杰出廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)、MOSFET、功率模塊、碳化硅等,為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。
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型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
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BZX84B18 | BZX84B18 |
獲取價(jià)格
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BZT52B2V4S |
獲取價(jià)格
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BC817-25W |
獲取價(jià)格
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BC807-25W |
獲取價(jià)格
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BC807-16W | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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BAS70X |
獲取價(jià)格
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AZ23C10 | AZ23C10 |
獲取價(jià)格
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ABS1508 |
獲取價(jià)格
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2SC1623-L6 |
獲取價(jià)格
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1N4148WSQ | 1N4148WSQ |
獲取價(jià)格
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HS3JB | HS3JB |
獲取價(jià)格
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H1DFS | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):200V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1V@1A;反向電流(Ir):5uA@200V;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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GBU806A |
獲取價(jià)格
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ES1JB | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.7V@1A;反向電流(Ir):5uA@600V;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):35ns;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
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ES1DB | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):200V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):950mV@1A;反向電流(Ir):5uA@200V;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):35ns;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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BC858BW | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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HER106G |
獲取價(jià)格
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HDL6S |
獲取價(jià)格
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GBU410A |
獲取價(jià)格
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DBL207S |
獲取價(jià)格
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F3MF |
獲取價(jià)格
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D8UB80 |
獲取價(jià)格
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BZX84C30W |
獲取價(jià)格
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H1G |
獲取價(jià)格
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DB206S |
獲取價(jià)格
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D6JB60 |
獲取價(jià)格
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D3UB60 |
獲取價(jià)格
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BZX584C15V |
獲取價(jià)格
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BZT52B15Q |
獲取價(jià)格
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BC849B | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V;特征頻率(fT):150MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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