晶片

TSV工藝流程與電學(xué)特性研究

本文報道了TSV過程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...

2022-06-16 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 3213 0

硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...

2022-06-14 標(biāo)簽：集成電路蝕刻晶片 1145 0

InGaP層去除GaAs外延蓋層的選擇性濕法蝕刻工藝

半導(dǎo)體器件的制造工程已使光電儀器、激光二極管和無線通信設(shè)備以及許多其他現(xiàn)代設(shè)備成為可能。從巴丁、布里泰因和肖克利1947年在貝爾實驗室發(fā)明晶體管，到大約...

2022-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 2229 0

濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究

摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的...

2022-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 7117 0

KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會...

2022-05-24 標(biāo)簽：蝕刻晶片溶液 1912 0

多晶ZnO:Al薄膜的蝕刻特性研究

將ZnO:Al薄膜織構(gòu)化與沉積條件的依賴性分開是優(yōu)化ZnO作為太陽能電池中的光散射、透明接觸的一個重要方面。對于給定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和...

2022-05-23 標(biāo)簽：薄膜蝕刻晶片 3238 0

稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除效率

本文介紹了我們?nèi)A林科納在稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除，在SC1清洗過程中，兩種化學(xué)成分之間存在協(xié)同和補償作用，H2O2氧化硅并形成化學(xué)氧化物...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片顆粒兆聲波 832 0

污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片清洗刻蝕 770 0

晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護的提示，并提出了評估這種保護的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1133 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

本實驗通過這兩種清洗方法進行標(biāo)識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內(nèi)部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標(biāo)簽：晶片硅片鍵合 1224 0

一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法

本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結(jié)...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片鍵合 2783 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過程

本文報道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1645 0

EGEE、NMP和THFA的微粒去除和基底損傷性能

在本報告中，我們?nèi)A林科納探討了2-乙氧基乙醇(EGEE)、NMP和THFA在常規(guī)氣溶膠噴霧清潔系統(tǒng)中的微粒去除和基底損傷性能。在300毫米和200毫米的...

2022-05-07 標(biāo)簽：晶片清洗微粒 734 0

光致抗蝕劑剝離和清洗對器件性能的影響

退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化，植入條件可以增強這些效應(yīng)，令...

2022-05-06 標(biāo)簽：蝕刻晶片清洗 443 0

半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性

本研究利用CFD模擬分析了半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性，并根據(jù)分析Case和晶片位置觀察了設(shè)計因子變化時的速度變化。

2022-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體特性晶片 866 0

金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測C...

2022-05-05 標(biāo)簽：等離子蝕刻晶片 920 0

使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)

本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一...

2022-05-05 標(biāo)簽：處理技術(shù)蝕刻晶片 973 0

利用異丙醇和氮載氣開發(fā)的晶片干燥系統(tǒng)

利用異丙醇(IPA)和氮載氣開發(fā)創(chuàng)新了一種晶片干燥系統(tǒng)，取代了傳統(tǒng)的非環(huán)保晶片干燥系統(tǒng)。研究b了IPA濃度是運行該系統(tǒng)的最重要因素，為了防止IPA和熱量...

2022-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片干燥系統(tǒng) 704 0

半導(dǎo)體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200...

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1661 0

半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機械拋光后刷洗的理論分析

摘要 化學(xué)機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面...

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1471 0