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標(biāo)簽 > 晶片
晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的發(fā)光部件,LED最核心的部分,晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時(shí),晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。
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雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感,但對于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造,濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要,這是因?yàn)槠骷目煽啃院?..
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...
過去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司,已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron(愛思強(qiáng))公司,并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...
半導(dǎo)體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后,仍殘留有厚度超過200...
本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成,包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查,研究了各種預(yù)處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響,以幫助詳細(xì)了解...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件,技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展,要想形成多層結(jié)構(gòu),將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積膜。如果...
減薄晶片有四種主要方法,(1)機(jī)械研磨,(2)化學(xué)機(jī)械平面化,(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成:研...
半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析
摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面...
聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合
引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕,并用D2400剪切測試儀測量界面...
碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究
為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光,提高碳化硅拋光的成品率,降低加工成本,對現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...
引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二...
用于異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化
引言 在太陽能電池工業(yè)中,最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相對昂貴,因此人們正在努力...
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