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標(biāo)簽 > 晶片
晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的發(fā)光部件,LED最核心的部分,晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時,晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。
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本文介紹了新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù),研究它們是否可以提供更低的水和化學(xué)消耗的能力,能否提供每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全...
濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物,選擇性非常高,因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大...
Si晶片在大氣中自然氧化,表面非常薄,但被SiO2膜復(fù)蓋。Si和在其上產(chǎn)生的SiO2膜的密合性很強。在高溫下進行氧化,會產(chǎn)生厚而致密且穩(wěn)定的膜。Si的熔...
本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個數(shù)值模型來幫助設(shè)計和操作CDE工具,為此,我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學(xué)模型,通過與實驗蝕刻速率數(shù)據(jù)...
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實生產(chǎn)線中,器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面,因此必須通過清潔技術(shù)去除污染...
MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究
本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅(b-Si)的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能,研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼...
RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個順序步驟:標(biāo)準(zhǔn)清潔1(SC-1)和標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC-2)。SC-1溶液由氫氧化銨、過氧化...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件,技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展,要想形成多層結(jié)構(gòu),將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層,這時晶片背面也會堆積膜。如果...
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