晶片

半導(dǎo)體光刻的工藝過(guò)程（2）

盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...

2022-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1218 0

硝酸濃度對(duì)硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機(jī)械研磨仍然會(huì)在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...

2022-06-14 標(biāo)簽：集成電路蝕刻晶片 1146 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過(guò)在...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1142 0

Si晶圓表面金屬在清洗液中的應(yīng)用研究

隨著器件的集成化，對(duì)Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因?yàn)镾i晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的...

2022-03-28 標(biāo)簽：晶圓檢測(cè)晶片 1134 0

晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個(gè)濕蝕過(guò)程中的完整性，它給出了一些確保這種保護(hù)的提示，并提出了評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1133 0

操作參數(shù)對(duì)蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開(kāi)發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來(lái)幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型，通過(guò)與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻晶片CDE 1122 0

用于扇出型晶圓級(jí)封裝的銅電沉積

高密度扇出型封裝技術(shù)滿足了移動(dòng)手機(jī)封裝的外形尺寸與性能要求，因此獲得了技術(shù)界的廣泛關(guān)注。

2020-07-13 標(biāo)簽：集成電路晶圓晶片 1066 0

超聲波工藝對(duì)晶振造成的損傷

超聲波技術(shù)被廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中，常見(jiàn)的超聲波工藝有： 超聲波清洗工藝、焊接工藝 。 使用該兩種工藝時(shí)， 超聲波儀器通常以20KHz至60KHz的頻率運(yùn)...

2023-06-12 標(biāo)簽：晶振超聲波晶片 1063 0

雙通道ic NU512-雙色溫調(diào)光恒流芯片應(yīng)用

NU512產(chǎn)品應(yīng)用 ? 一般LED照明 ? LCD 背光 ? 商業(yè)照明 ? 燈條、燈帶 ? RGB 裝飾燈 ? LED 手電筒 ? RG...

2023-06-07 標(biāo)簽：晶片恒流芯片 1050 0

使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)

本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單技術(shù)，通過(guò)使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一...

2022-05-05 標(biāo)簽：處理技術(shù)蝕刻晶片 973 0

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體超聲波蝕刻 955 0

通過(guò)兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對(duì)黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過(guò)金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 946 0

倒裝晶片的組裝的回流焊接工藝

倒裝晶片在氮?dú)庵谢亓骱附佑性S多優(yōu)點(diǎn)。在較低氧氣濃度下回流焊接，條件比較寬松，可以獲得很好的焊接良 率。由于減少了氧化，可以獲得更好的潤(rùn)濕效果，同時(shí)工藝窗...

2023-09-26 標(biāo)簽：元件晶片回流焊接 934 0

金屬蝕刻殘留物對(duì)對(duì)等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對(duì)等離子體成分和均勻性的影響。通過(guò)所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來(lái)分析室壁，并且通過(guò)光發(fā)射光譜來(lái)監(jiān)測(cè)C...

2022-05-05 標(biāo)簽：等離子蝕刻晶片 920 0

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應(yīng)用

引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測(cè)硅片表面金屬雜質(zhì)污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實(shí)驗(yàn)顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等...

2021-12-28 標(biāo)簽：晶圓納米晶片 916 0

半導(dǎo)體晶片干燥場(chǎng)非內(nèi)部和晶片周?chē)牧鲃?dòng)特性

本研究利用CFD模擬分析了半導(dǎo)體晶片干燥場(chǎng)非內(nèi)部和晶片周?chē)牧鲃?dòng)特性，并根據(jù)分析Case和晶片位置觀察了設(shè)計(jì)因子變化時(shí)的速度變化。

2022-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體特性晶片 867 0

有關(guān)超聲波晶片測(cè)溫中的薄膜效應(yīng)實(shí)驗(yàn)報(bào)告

溫度是半導(dǎo)體加工中需要監(jiān)測(cè)和控制的關(guān)鍵參數(shù)。我們使用了一種超聲波技術(shù)，其中利用硅片中最低階反對(duì)稱(chēng)蘭姆波速度的溫度依賴(lài)性在20-1OO中進(jìn)行原位溫度測(cè)量“...

2023-08-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體超聲波晶片 834 0

稀釋SC1過(guò)程中使用兆聲波來(lái)增強(qiáng)顆粒去除效率

本文介紹了我們?nèi)A林科納在稀釋SC1過(guò)程中使用兆聲波來(lái)增強(qiáng)顆粒去除，在SC1清洗過(guò)程中，兩種化學(xué)成分之間存在協(xié)同和補(bǔ)償作用，H2O2氧化硅并形成化學(xué)氧化物...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片顆粒兆聲波 832 0

利用臭氧微泡清洗半導(dǎo)體晶片

小氣泡顯示出與普通氣泡不同的行為。普通氣泡在水中急速浮起，在表面破裂消失。但是，如果成為直徑小于50μm的氣泡，則會(huì)慢慢浮起并縮小，最終在水中消失。在水...

2022-04-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片清洗 806 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過(guò)程（3）

涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過(guò)程，也稱(chēng)為軟烘烤或預(yù)烘烤，包括在旋涂后通過(guò)去除多余的溶劑來(lái)干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...

2022-08-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 806 0