晶片

兆聲波對硅片濕法清洗槽中水和氣泡運動的影響

研究了兆聲波對300 mm直徑硅片濕法清洗槽中水和氣泡運動的影響。使用水溶性藍色墨水的示蹤劑觀察整個浴中的水運動。兆聲波加速了整個浴槽中的水運動，盡管沒...

2022-03-07 標簽：計算機超聲波晶片 635 0

300mm直徑硅片濕洗槽出水口設計

實驗和數(shù)值研究了間歇式300mm直徑硅片濕法清洗槽出口對水運動的影響，以快速去除槽中的污染物。設計并評估了由靠近水槽側(cè)壁頂部邊緣的針孔陣列組成的出口以及...

2022-03-04 標簽：半導體計算晶片 308 0

半導體工藝—晶片清洗工藝評估

摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的...

2022-03-04 標簽：半導體晶片 2768 0

晶片光刻膠處理系統(tǒng)的詳細介紹

摘要 在這項工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導體光刻膠中的應用。這些實驗中使用的獨特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級，與銅兼容且無毒。...

2022-03-03 標簽：半導體晶片 555 0

超細金屬顆粒在硅片表面的行為研究

摘要 隨著 ULSI 設備越來越小型化，對產(chǎn)量產(chǎn)生不利影響的顆粒直徑一直在縮小。最近，直徑為 0.1 或更小的超細顆粒變得很重要。預計這種類型的超細顆粒...

2022-03-03 標簽：半導體晶片 489 0

濕法清洗系統(tǒng)對晶片表面顆粒污染的影響

摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法...

2022-03-02 標簽：半導體晶片 680 0

清洗半導體晶片的方法說明

摘要 該公司提供了一種用于清洗半導體晶片的方法和設備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個或多個晶片來填充化學溶液的第一罐將...

2022-02-28 標簽：半導體晶片 1115 0

臭氧在濕法加工中的作用是怎樣的

氧化物膜的沉積 臭氧是在使用時產(chǎn)生的，可以很容易地轉(zhuǎn)化為氧氣 IMEC開發(fā)了一種晶片清洗工藝，與廣泛使用的 RCA 清洗相比，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零...

2022-02-28 標簽：半導體晶片 512 0

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來去除顆粒和有機污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認為...

2022-02-23 標簽：數(shù)據(jù)晶片測量 2409 0

半導體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

近年來，隨著集成電路的微細化，半導體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡木淮吻逑吹姆绞?。在半導體的制造中...

2022-02-22 標簽：半導體結(jié)構(gòu)晶片 1012 0

半導體晶片上粒子沉積的實驗研究

半導體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個重要問題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸，晶片上的顆粒沉積是造成產(chǎn)品損失的主要原因。我們開發(fā)了一種用...

2022-02-22 標簽：半導體實驗晶片 1092 0

磷酸中二氧化硅的選擇性濕法蝕刻方法

摘要 在濕法工藝實施中使用單晶片處理器是先進半導體制造的一種趨勢，因為它具有無污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優(yōu)點。然而，...

2022-02-15 標簽：蝕刻晶片 1912 0

稀釋HF清洗過程中硅表面顆粒沉積的機理報告

本文討論了稀氫氟酸清洗過程中顆粒沉積在硅片表面的機理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。...

2022-02-11 標簽：晶片測量顯微鏡 1862 0

下一代化合物半導體的超精密加工和清洗的現(xiàn)狀與未來

18世紀第一次工業(yè)革命以來，創(chuàng)新技術(shù)的進步呈指數(shù)級迅猛發(fā)展。 進入本世紀，以數(shù)字化為象征的第四次工業(yè)革命預計將于2045年展開(技術(shù)奇點)1)，有必要認...

2022-02-11 標簽：半導體CMP晶片 1135 0

華林科納共注入BOE的化學實驗報告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)是一種廣泛應用于半導體行業(yè)的蝕刻解決方案，通過光刻膠掩模蝕刻氧化物層，我們使用計算的主要結(jié)果，通過ATMELFab7現(xiàn)場的實驗實...

2022-02-07 標簽：晶片BOE 790 0

CMP后化學機械拋光清洗中的納米顆粒去除報告

化學機械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加，化學機械拋光被引入到平面化層間電介質(zhì)(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級互連的鑲嵌金屬布...

2022-01-27 標簽：晶片化學傳感 835 0

化學機械拋光后刷洗的理論分析報告

化學機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附...

2022-01-27 標簽：晶片化學反應化學分析 454 0

關(guān)于臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒的研究報告

摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟膜和顆粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200...

2022-01-26 標簽：半導體晶片清洗工藝 392 0

關(guān)于使用酸性溶液對硅晶片進行異常各向異性蝕刻研究

介紹 在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面...

2022-01-20 標簽：半導體晶片 612 0