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      標(biāo)簽　>　氮化硅

      氮化硅

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      氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。

      文章：62個(gè) 瀏覽：240次 帖子：0個(gè)

      氮化硅技術(shù)

      晶片濕法刻蝕方法

      硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶...

      2023-06-05 標(biāo)簽：多晶硅晶片刻蝕 2435 0

      氮化硅(Si3N4)的理論熱導(dǎo)率上限

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      熱管理對(duì)高集成度和高功率密度電子器件的正常運(yùn)行至關(guān)重要。高性能電子器件運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效及時(shí)地將這些熱量排出，就會(huì)導(dǎo)致器件過(guò)熱，進(jìn)而影...

      2023-05-16 標(biāo)簽：散熱熱管理氮化硅 1225 0

      多孔氮化硅陶瓷天線罩材料制備及性能研究

      近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級(jí)工程師趙中堅(jiān)沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過(guò)添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保...

      2023-04-16 標(biāo)簽：材料陶瓷介電常數(shù) 1772 0

      芯片級(jí)氮化硅無(wú)源光隔離器

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      光隔離器是一種只允許單向光通過(guò)的無(wú)源光器件，其主要特點(diǎn)是：正向插入損耗低，反向隔離度高，回波損耗高。目前已經(jīng)有多種片上光隔離方案，但這些方案大多依賴于磁...

      2023-04-03 標(biāo)簽：光隔離器光器件調(diào)制器 1841 0

      常用制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的燒結(jié)工藝現(xiàn)狀

      隨著集成電路工業(yè)的發(fā)展，電力電子器件技術(shù)正朝著高電壓、大電流、大功率密度、小尺寸的方向發(fā)展。因此，高效的散熱系統(tǒng)是高集成電路必不可少的一部分。

      2022-12-20 標(biāo)簽：集成電路FPC柔性線路板 2842 1

      綜述高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板研究現(xiàn)狀

      目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO，但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì)，因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來(lái)替換氧化物燒結(jié)助劑，如 YF3-MgO、MgF2...

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      氮化硅LPCVD工藝及快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)詳解

      銅金屬化過(guò)程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護(hù)電介質(zhì)層（Passivatio...

      2022-10-17 標(biāo)簽：晶圓RTPPECVD 1.1萬(wàn) 0

      磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑 氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻率

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      在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對(duì)氮化硅的去除工藝， 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對(duì)氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們...

      2022-08-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 4159 0

      一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

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      本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

      2022-04-24 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻襯底 1154 0

      碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

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      摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

      2022-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅電沉積 1052 0

      氮化硅陶瓷在氫氟酸水溶液中的水熱分解行為

      氮化硅陶瓷在氫氟酸水溶液中的水熱分解行為

      引言 精細(xì)陶瓷由于其優(yōu)越的機(jī)械性能和功能性能，在過(guò)去的二十年中得到了發(fā)展。最近，從環(huán)境和經(jīng)濟(jì)的角度來(lái)看，希望開(kāi)發(fā)具有較低能量的制造工藝，因?yàn)樯a(chǎn)精細(xì)陶瓷...

      2021-12-23 標(biāo)簽：溶液掃描電鏡氮化硅 1732 0

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