清洗技術
詳解硅片的研磨、拋光和清洗技術
在半導體和LED的制造中,需要研磨以使晶片的厚度變薄,以及拋光以使表面成為鏡面。在半導體器件的制造中,半導體制造工藝包括:(1)從晶體生長開始切割和拋光...
2022-04-20
標簽:SiC硅片清洗
1.4萬
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常用化工設備的清洗方式
利用循環(huán)水系統(tǒng)中的涼水塔作為加藥箱,往系統(tǒng)里面加藥,進行自然循環(huán)。
2019-02-11
標簽:清洗換熱器
5470
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探秘半導體制造中單片式清洗設備
隨著集成電路制造工藝不斷進步,半導體器件的體積正變得越來越小,這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求...
2022-08-15
標簽:集成電路半導體清洗
4715
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半導體晶圓的雙流體清洗技術
一直以來,對于粒子的洗滌效果,以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)為指標進行討論。通過使用由顆粒測量儀器測量的晶片...
2022-04-13
標簽:晶圓清洗
2590
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光伏硅片的超聲化學清洗技術
近年來,太陽能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統(tǒng)中,90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池,具有成本低、面積大、效率較高的優(yōu)點。...
2022-04-12
標簽:光伏清洗硅晶片
2458
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詳解硅晶圓的超精密清洗、干燥技術
隨著LSI集成度的顯著增加,各元件的斷面構造從平面型向以溝槽(溝)構造的出現(xiàn)為代表的三維構造變遷。在以極限微細化為指向的LSI技術中,為了能夠對應凹凸嚴...
2022-04-19
標簽:硅晶圓清洗
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一種除去晶片表面有機物的清洗方法
近年來,作為取代SPM(硫酸/過氧化氫)清洗的有機物去除法,通過添加臭氧的超純水進行的清洗受到關注,其有效性逐漸被發(fā)現(xiàn)。在該清洗法中,可以實現(xiàn)清洗工序的...
2022-04-13
標簽:工藝硅片清洗
2018
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使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法
金屬污染物,如碳化硅表面的銅,不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面沒有形成化學氧化物,這種化學穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金...
2022-09-08
標簽:清洗RCA碳化硅
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用于硅晶圓的全新RCA清洗技術
RCA清洗技術是用于清洗硅晶圓等的技術,由于其高可靠性,30多年來一直被用于半導體和平板顯示器(FPD)領域的清洗。其基礎是以除去顆粒為目的的氨水-過氧...
2022-04-21
標簽:硅晶圓清洗RCA
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紫外光表面清洗技術與UV光清洗機(下)
本次接觸角測試是在普通工作間進行的,光清洗后的ITO玻璃在空氣中會受到二次污染。接觸角測試法是一種半定量檢測方法。從圖2可以看出光清洗后接觸角下降了24...
2022-08-18
標簽:紫外光清洗
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紫外光表面清洗技術與UV光清洗機
低壓紫外汞燈發(fā)射的雙波段短波紫外光照射到試件表面后,與有機污染物發(fā)生光敏氧化作用,不僅能去除污染物而且能改善表面的性能,從而提高物體表面的浸潤性和粘合強...
2022-08-18
標簽:紫外光清洗
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用于單晶片清洗的超臨界流體
使用超臨界流體去除污染物的過程,即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴散和粘度,使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜,并...
2022-04-12
標簽:晶圓工藝清洗
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不同清洗方法對納米顆粒表征的影響
本文介紹了我們華林科納研究不同清洗方法(離心和透析)對15納米檸檬酸鈉穩(wěn)定納米顆粒表面化學和組成的影響,關于透析過程,核磁共振分析表明,經(jīng)過9個清洗周期...
2022-05-12
標簽:納米清洗
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硅晶圓表面的金屬及粒子的附著行為
隨著器件的高集成化,對高質量硅晶片的期望。高質量晶片是指晶體質量、加工質量以及表面質量優(yōu)異的晶片。此外,芯片尺寸的擴大、制造成本的增加等問題受到重視,近...
2022-04-18
標簽:硅晶圓清洗
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