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標(biāo)簽 > 驍龍835
驍龍835(一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
驍龍835(一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%,效率提升40%,高通驍龍835芯片面積將變得更小。[1] 2016年10月,三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10納米 FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比,三星10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上,同時實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝,驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸,讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間,以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計相結(jié)合,預(yù)計將會提升電池續(xù)航。
驍龍835(一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%,效率提升40%,高通驍龍835芯片面積將變得更小。[1] 2016年10月,三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10納米 FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比,三星10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上,同時實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝,驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸,讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間,以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計相結(jié)合,預(yù)計將會提升電池續(xù)航。
驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz,并采用八核設(shè)計。驍龍835將采用10nm八核心設(shè)計,大小核均為Kryo280架構(gòu),大核心頻率2.45GHz,大核心簇帶有2MB的L2 Cache,小核心頻率1.9GHz,小核心簇帶有1MB的L2 Cache,GPU為Adreno 540@670MHz,相比上代性能提升25%,支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存,整合了Cat.16基帶。
新的驍龍835處理器,支持Quick Charge 4快速充電,比起Quick Charge 3.0,其充電速度提升20%,充電效率提升30%。另外其具備更小的芯片尺寸,能為手機(jī)廠商提供更靈活的內(nèi)部空間設(shè)計。
Quick Charge 4.0快充技術(shù)充電5分鐘可以延長手機(jī)使用時長5小時,此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,適配范圍更廣泛。
高通并未公布驍龍835的更多信息,但表示10nm工藝將會帶來更好的性能,提升功率效率,作為對比高通驍龍820基于14nm制造工藝打造。[1] 三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%,效率提升40%。
驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運(yùn)存,帶寬提升明顯。
一文看懂高通驍龍835/821/820/810之間的區(qū)別
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2018-01-11 標(biāo)簽:驍龍835聯(lián)發(fā)科x30 2.3萬 0
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2017-07-06 標(biāo)簽:iphone7iphone7plus驍龍835 4.8萬 0
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