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3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

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3d nand技術

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個...

2024-03-20 標簽：刻蝕 3d nand 787 0

3D NAND的主要制作流程

SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數(shù)。

2024-03-19 標簽：3d nand 芯片制程 730 0

關于半導體價值鏈分析（設計、制造和后制造）

半導體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠端制程。

2024-02-19 標簽：DRAM NAND 半導體制造 1082 0

3D NAND層數(shù)“爭霸賽”，300層雖遲但到

眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...

2023-08-30 標簽：閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤 452 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的應用和優(yōu)勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成T...

2023-07-25 標簽：存儲器 TSV 3d nand 659 0

存儲芯片是什么存儲芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲芯片是半導體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品，我們日常所有的電子設備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預測，2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達到1675億美元，...

2023-07-07 標簽：fpga asic 存儲芯片 1.3萬 0

典型3D NAND閃存結構技術分析

這種存儲技術的成功與其不斷擴展密度和成本的能力有關——這是 NAND 閃存技術發(fā)展的主要驅動力。大約每兩年，NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度，以...

2023-06-27 標簽：存儲器 3d nand 隨機存取存儲器 1881 0

高端性能封裝平臺的主要技術趨勢解析

3D 堆棧存儲器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻者，到 2028 年占總市場份額的 70% 以上。增長最快的四大 =平臺是 3D ...

2023-06-16 標簽：存儲器封裝技術 3d nand 550 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術

3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標簽：NAND 存儲芯片蝕刻技術 2047 0

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標簽：晶體管蝕刻工藝 3d nand 1473 0

3d nand帖子

3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？

標簽：NAND 晶體 3d nand 2526 1

3D NAND及PCIe NVMe SSD為什么能晉升巿場主流？

標簽：SSD 3d nand 2281 3

3d nand資料下載

3D NAND對比2D NAND的優(yōu)勢立即下載

類別：嵌入式開發(fā) 2017-10-13 標簽：閃存 3d nand 2d nand 1318 0

3d nand資訊

預期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...

2024-06-29 標簽：NAND 存儲器 3d nand 4259 0

NAND封裝短缺導致大容量SSD價格暴漲

消息人士指出，NAND封裝短缺對供應鏈的全面影響可能需要兩到三個月的時間，屆時一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤的價格將 "暴漲"。

2024-01-19 標簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 319 0

簡單介紹全球前五大存儲廠商

主流存儲芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半導體存儲器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲，存儲晶圓的設計及制造標準化程度較高...

2023-11-21 標簽：DRAM 存儲器存儲芯片 3898 0

三星計劃全面提高DDR5產(chǎn)量，過去一個月上漲5-10%

英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。

2023-11-10 標簽：芯片內存條 RCD 414 0

如何看待3D DRAM技術？

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應該能夠快速量產(chǎn)。

2023-05-31 標簽：DRAM NAND 3d nand 522 0

Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存

傳統(tǒng)上，控制邏輯和單元邏輯是在一個晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC)，而 WD 和 Kiox...

2023-04-04 標簽：閃存 NAND 3d nand 1618 0

2023年存儲產(chǎn)業(yè)技術應用展望

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）存儲產(chǎn)業(yè)在2022年經(jīng)歷了市場行情下跌、價格下滑、原廠縮減資本支出等形勢。不過數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)等需求仍然堅挺。市場波動...

2023-01-22 標簽：存儲 3d nand PCIe 5.0 3837 0

存儲供應商正在競相為 3D NAND 添加更多層

西門子 EDA技術產(chǎn)品經(jīng)理 Ben Whitehead 表示：“處理器的摩爾定律在過去幾年中一直滯后，但對于 NAND 閃存來說仍然存在并且很好 ?！?...

2022-08-30 標簽：存儲器堆疊 3d nand 643 0

PCIe 5.0進入快車道加速NAND的迭代升級

預計到2025年，國內企業(yè)級SSD市場規(guī)模將增至489億元，5年間復合增速約25%，而PCIe SSD市場份額比例將增至90%。

2022-08-08 標簽：SSD 3d nand PCIe5.0 1770 0

傳三星預將芯片制造價格上調至多20％；美光首發(fā)232層3D NAND，將于2022年末量產(chǎn)

傳三星預將芯片制造價格上調至多 20％ ? 根據(jù)外媒的最新消息，三星正就將芯片制造價格提高20%進行商議。值得注意的是，除了三星之外，臺積電此前也宣布，...

2022-05-15 標簽：三星電子芯片制造美光 1.2萬 0

3d nand數(shù)據(jù)手冊

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