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3d閃存

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3d閃存資訊

鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布,該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。

2024-02-22 標(biāo)簽:控制器存儲器UFS 849 0

服務(wù)器支撐閃存芯片市場增長,上下游企業(yè)加速布局基礎(chǔ)設(shè)施、汽車新興領(lǐng)域

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近年來,由于消費(fèi)級、工業(yè)級以及汽車等終端市場的需求變動,影響了閃存行業(yè)的供需變化。在技術(shù)上,閃存朝著更加先進(jìn)的工藝迭代...

2022-10-17 標(biāo)簽:閃存服務(wù)器3D閃存 2634 0

鎧俠推出162層3D閃存:產(chǎn)能增加70%、性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃...

2021-02-19 標(biāo)簽:產(chǎn)能性能3D閃存 2327 0

Kioxia和西部數(shù)據(jù)合作開發(fā)第六代162層3D閃存技術(shù)

Kioxia(鎧俠)和西部數(shù)據(jù)宣布,雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑,也是兩家公司迄今密度最高、最先...

2021-02-20 標(biāo)簽:CMOS西部數(shù)據(jù)3d nand 2273 0

TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

隨著3D閃存技術(shù)的發(fā)展,容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應(yīng)用,對于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來越復(fù)雜。

2020-12-11 標(biāo)簽:控制器NANDTDK 929 0

解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

這是因?yàn)?,Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離,從這一程度上講,利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...

2020-12-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NAND3D閃存 1962 0

三星正在開發(fā)160堆棧3D閃存 將大幅改進(jìn)制造工藝

上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒閑著,三星...

2020-04-20 標(biāo)簽:三星電子3D閃存 566 0

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧...

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閃存存儲的價格什么時候可能會下降

因?yàn)?D閃存技術(shù)允許有更多的細(xì)胞堆疊在給定的表面積,這樣總?cè)萘繉⒈葘?shí)際可以使用的容量要大很多。

2020-03-27 標(biāo)簽:存儲3D閃存 644 0

鎧俠開發(fā)新的3D半圓形閃存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”

鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)近日宣布將使用專門設(shè)計的半圓形浮置柵極(FG)單元開發(fā)全球首個[1]三維(3D)半圓形分柵型閃存單元...

2019-12-14 標(biāo)簽:閃存3D閃存 1397 0

長江存儲成功研發(fā)國產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。

2019-09-06 標(biāo)簽:長江存儲3D閃存 1699 0

東芝TR200SSD240G性能測試 東芝的64層3DNANDSSD有多厲害

傳說中的64層3D NAND的故事,延續(xù)了1年時間。這次巧合的機(jī)會體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款6...

2018-10-09 標(biāo)簽:東芝NANDSSD 1.0萬 0

東芝存儲公司和西部數(shù)據(jù)公司共同慶祝位于日本四日市的 FAB 6工廠及內(nèi)存研發(fā)中心投入運(yùn)營

2018年9月27日-北京,東芝存儲公司和西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ:WDC)日前盛大慶祝位于日本三重縣四日市的新建的半導(dǎo)體制造工廠 -Fab 6以及內(nèi)...

2018-09-30 標(biāo)簽:東芝半導(dǎo)體西部數(shù)據(jù) 5726 0

Intel第三代1TB 3D閃存 單Die將升級到512Gb

在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技術(shù),Intel的單Die升級到了512Gb,...

2017-12-25 標(biāo)簽:intel3d閃存 3246 0

海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片

蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍,單個 256Gb NAND...

2017-04-11 標(biāo)簽:海力士存儲3D閃存 1575 0

東芝64層堆疊FLASH 3D閃存出貨 普及TB級SSD

據(jù)外媒報道,東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存,采用64層堆疊,單晶粒容量512Gb(64GB,TLC),相對于上一代48層256Gb,...

2017-02-23 標(biāo)簽:東芝SSD3D閃存 1557 0

SK Hynix月底量產(chǎn)48層堆棧3D NAND閃存 三星后第二家

目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)...

2016-11-09 標(biāo)簽:SSDNAND閃存3D閃存 889 0

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