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標(biāo)簽 > GaN
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基于GaN參考設(shè)計(jì)的1.6kW雙向微型逆變器
參考設(shè)計(jì)展示了一款具有儲(chǔ)能能力的四輸入雙向1.6kW GaN基微型逆變器。 *附件:原理圖.zip *附件:BOM.zip *附件:Gerber.zip...
英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動(dòng)行業(yè)變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN...
今日看點(diǎn)丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創(chuàng)12英寸GaN晶圓技術(shù)
1. 英飛凌推出全球首創(chuàng)12 英寸GaN 晶圓技術(shù) ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產(chǎn)GaN芯片,該技術(shù)為世界首創(chuàng),希望滿...
聚焦綠色能源四大細(xì)分市場(chǎng),英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會(huì)
在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居...
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來(lái)說(shuō),它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
基于AC驅(qū)動(dòng)的電容結(jié)構(gòu)GaN LED模型開發(fā)和應(yīng)用
隨著芯片尺寸減小,微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動(dòng)高密度集成的難題,傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動(dòng)技術(shù)會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫上升,降低器件壽命。
針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢(shì),聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件,雖控制高效但壽命短、對(duì)過(guò)載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn),通...
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案,該方案集當(dāng)前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成,進(jìn)一步優(yōu)化快充方案的待...
GaN FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢(shì)
本文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)新發(fā)展:將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中,且無(wú)需外部供電。我們將深入探討這一解決...
2024-08-23 標(biāo)簽:傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN 128 0
類別:電子資料 2024-09-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN 55 0
基于GaN參考設(shè)計(jì)的1.6kW雙向微型逆變器
參考設(shè)計(jì)展示了一款具有儲(chǔ)能能力的四輸入雙向1.6kW GaN基微型逆變器。 *附件:原理圖.zip *附件:BOM.zip *附件:Gerber.zip...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
三菱電機(jī)發(fā)布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品。P...
今日看點(diǎn)丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創(chuàng)12英寸GaN晶圓技術(shù)
1. 英飛凌推出全球首創(chuàng)12 英寸GaN 晶圓技術(shù) ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產(chǎn)GaN芯片,該技術(shù)為世界首創(chuàng),希望滿...
英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動(dòng)行業(yè)變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN...
信越化學(xué)推出12英寸GaN晶圓,加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長(zhǎng)的300毫米(即12英寸)晶圓,標(biāo)志著公司在高性能半...
聚焦綠色能源四大細(xì)分市場(chǎng),英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會(huì)
在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居...
8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌,在深圳盛大亮相“2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(PCIM Asia)”,以“數(shù)...
GaN HEMT技術(shù)引領(lǐng)儲(chǔ)能系統(tǒng)革命,國(guó)內(nèi)企業(yè)積極布局
隨著5G通信和電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)憑借其卓越的物理和化學(xué)特性,逐漸成為儲(chǔ)能系統(tǒng)和電力電子器件的重要材料。業(yè)...
2024-08-28 標(biāo)簽:晶體管GaN儲(chǔ)能系統(tǒng) 176 0
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
---|---|---|---|
GS61008P-MR | 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價(jià)格
|
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