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標簽 > IGBT技術

IGBT技術

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  IGBT技術是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點,非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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IGBT技術簡介

  IGBT技術是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點,非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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igbt技術技術

國產(chǎn)功率半導體芯片亟待突破

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2012-07-23 標簽:Sic功率半導體IGBT技術 1574 0

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2009-11-07 標簽:IGBT技術 800 0

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