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銦含量的局限性導(dǎo)致氮化鎵銦無(wú)法激發(fā)出紅光和黃綠光
該研究指出,科學(xué)家為挑戰(zhàn)銦含量極限,于是在氮化鎵(GaN)上生長(zhǎng)氮化銦(InN)單原子層,不過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,銦的濃度含量一直停留在25% 到30%,而且...
HDSM-291B 0.28英寸(7.0毫米)雙位數(shù)表面貼裝LED顯示屏
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ASMW-FWG0-NHKH6 0.2W 2835表面貼裝LED
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ASMW-FWG0-NJLF6 0.2W 2835表面貼裝LED
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ASMF-LWG4-NQTBD 0.5W HE 3030表面貼裝LED
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ASMF-LWG4-NRUED 0.5W HE 3030表面貼裝LED
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ASMD-FWG3-NPTG6 0.2W 3014表面貼裝LED
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ASMF-LWG4-NRUFD 0.5W HE 3030表面貼裝LED
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ASMD-FWG3-NPTD6 0.2W 3014表面貼裝LED
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ASMD-LWG3-NQTED 0.5W 3014表面貼裝LED
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艾邁斯歐司朗可見(jiàn)光InGaN激光二極管:小巧、高效
隨著科技的不斷發(fā)展,可見(jiàn)光InGaN(氮化銦鎵)激光二極管作為一種先進(jìn)的半導(dǎo)體發(fā)光器件,已逐漸成為激光技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
近日,晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 標(biāo)簽:CMOSLED技術(shù)InGan 1120 0
英國(guó)Plessey宣布開(kāi)發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED
日前,英國(guó)Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱,宣布開(kāi)發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。
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