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標(biāo)簽 > MIS器件

MIS器件

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  由金屬(M)-絕緣體(I)-半導(dǎo)體(S)組成的體系稱為MIS結(jié)構(gòu),以這種結(jié)構(gòu)形成的器件稱為MIS器件(MIS二極管)。如果其中的絕緣體是SiO2,則相應(yīng)地為MOS結(jié)構(gòu)和MOS二極管。

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MIS器件簡(jiǎn)介

  MIS器件的功能主要決定于其中絕緣體層的厚度:(1)假若絕緣體層的厚度足夠大(對(duì)于絕緣體層是SiO2層的情況,大于5nm),則基本上不導(dǎo)電,這時(shí)即為MIS電容器;(2)假若絕緣體層的厚度足夠?。▽?duì)于絕緣體層是SiO2層的情況,大約為1nm),則絕緣體基本上不起阻擋導(dǎo)電的作用(阻抗極?。?,這時(shí)即為Schottky二極管。

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MIS器件,MIS器件是什么意思

MIS器件,MIS器件是什么意思 以SiO2為柵介質(zhì)時(shí),叫MOS器件,這是最常使用的器件形式。歷史上也出現(xiàn)過(guò)以Al2O3為柵介質(zhì)的MAS器件和以Si3N4

2010-03-04 標(biāo)簽:MIS器件 1461 0

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