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標(biāo)簽 > TSV
TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過(guò)硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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在封裝史上,最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時(shí)起,更先進(jìn)的封裝形式(例如晶圓級(jí)扇出和 TCB)一直是相同核心原理的漸進(jìn)式改進(jìn)。
2024-02-27 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)蝕刻 2387 0
半導(dǎo)體封裝演進(jìn)及未來(lái)發(fā)展方向
由于HPC先進(jìn)封裝的互連長(zhǎng)度很短,將存儲(chǔ)器3D堆疊在邏輯之上或反之亦然,這被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)超高帶寬的最佳方法。不過(guò),其局限性包括邏輯IC中用于功率和信號(hào)的大...
2024-02-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體封裝TSV 551 0
TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望
先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測(cè)廠商,開(kāi)發(fā)了一大批專(zhuān)利技術(shù),使用TSV達(dá)成各種復(fù)...
2024-02-25 標(biāo)簽:sram芯片設(shè)計(jì)TSV 726 0
一文了解芯片封裝及底部填充(Underfill)技術(shù)(上)
芯片封裝作為設(shè)計(jì)和制造電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)之一日益受到半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注和重視。
第四篇:了解不同類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝(第二部分)
想象一下,在一個(gè)由多棟低層樓房組成的住宅綜合體內(nèi),若要容納數(shù)千名居民,則需要占據(jù)非常大的面積才能滿足需求。
2024-01-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶圓半導(dǎo)體封裝 916 0
硅通孔技術(shù)(TSV,Through Silicon Via)是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù),是2.5D/3D...
溫度傳感器是指能感受溫度并轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的傳感器。溫度傳感器是溫度測(cè)量?jī)x表的核心部分,品種繁多。按測(cè)量方式可分為接觸式和非接觸式兩大類(lèi),按照傳感器材...
類(lèi)別:測(cè)試測(cè)量論文 2017-11-22 標(biāo)簽:TSVCAN-WAS 1097 0
根據(jù)TONTI圖將離散幾何法應(yīng)用TSV力場(chǎng)耦合問(wèn)題立即下載
類(lèi)別:電力論文網(wǎng) 2017-10-28 標(biāo)簽:TSV 1079 0
類(lèi)別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-12-07 標(biāo)簽:TSV硅通孔3D封裝 2427 0
類(lèi)別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-12-07 標(biāo)簽:3DTSV硅通孔 1529 0
共讀好書(shū) 周曉陽(yáng) (安靠封裝測(cè)試上海有限公司) 摘要: 微電子技術(shù)的不斷進(jìn)步使得電子信息系統(tǒng)朝著多功能化、小型化與低成本的方向全面發(fā)展。其中封裝工藝正扮...
開(kāi)啟高性能芯片新紀(jì)元:TSV與TGV技術(shù)解析
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的二維平面集成方式已經(jīng)逐漸接近其物理極限。為了滿足日益增長(zhǎng)的性能需求,同時(shí)克服二維集成的瓶頸,三維集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。其中,...
TSV 制程關(guān)鍵工藝設(shè)備技術(shù)及發(fā)展
共讀好書(shū) 魏紅軍 段晉勝 (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所) 摘要: 論述了 TSV 技術(shù)發(fā)展面臨的設(shè)備問(wèn)題,并重點(diǎn)介紹了深硅刻蝕、 CVD/PVD 沉...
3D芯片技術(shù)成關(guān)鍵,AR原型芯片獲得巨大的性能提升
增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)存在諸多限制,尤其是眼鏡形態(tài),AR 眼鏡身形狹小,所以搭載的芯片在能效和性能方面均有高度要求。
2024-02-29 標(biāo)簽:晶圓3D芯片機(jī)器學(xué)習(xí) 719 0
共讀好書(shū) 田苗,劉民,林子涵,付學(xué)成,程秀蘭,吳林晟 (上海交通大學(xué) a.電子信息與電氣工程學(xué)院先進(jìn)電子材料與器件平臺(tái);b.射頻異質(zhì)異構(gòu)集成全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)...
珠海格力集團(tuán)迎來(lái)新掌門(mén)康洪,擔(dān)任黨委書(shū)記、董事長(zhǎng)
格力集團(tuán)宣布,康洪在春節(jié)前的最后幾天,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)對(duì)集團(tuán)正在建設(shè)中的12英寸TSV立體集成生產(chǎn)基地一期與格創(chuàng)·壹號(hào)等項(xiàng)目進(jìn)行實(shí)地考察,并針對(duì)安全生產(chǎn)問(wèn)題提出...
新增訂單約83.6億元,中微公司2023年凈利潤(rùn)預(yù)增45%
1月14日,中微公司(SH688012)發(fā)布《2023年年度業(yè)績(jī)預(yù)告》。中微公司預(yù)計(jì)2023年?duì)I業(yè)收入約62.6億元,較2022年增加約15.2億元,同...
2024-01-19 標(biāo)簽:MEMS技術(shù)TSV碳化硅 534 0
DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺,未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。
2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片機(jī)器學(xué)習(xí) 722 0
LDI設(shè)備有哪些劣勢(shì)? LDI設(shè)備的WPS偏低,激光止血導(dǎo)致的工藝分辨率只有8到10微米,而線性公章的工藝分辨率在4到6微米。
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