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      標(biāo)簽　>　VDMOS

      VDMOS

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      vdmos技術(shù)

      金屬封裝功率器件管殼鍍金層腐蝕機(jī)理研究

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      2024-06-20 標(biāo)簽：VDMOS封裝功率器件 1268 1

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      IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

      2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFETVDMOSIGBT 2359 0

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      當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后，半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過(guò)碰撞電離開始倍增，這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。

      2023-11-23 標(biāo)簽：MOSFET示波器VDMOS 956 0

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      對(duì)于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EP...

      2017-11-29 標(biāo)簽：vdmoscoolmos 9103 0

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      vdmos資訊

      平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇？

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      大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究

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      2011-12-20 標(biāo)簽：VDMOS 4645 0

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      2011-12-02 標(biāo)簽：VDMOS 3093 0

      優(yōu)化柵的VDMOS器件結(jié)構(gòu)及特性簡(jiǎn)析

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      2011-12-02 標(biāo)簽：VDMOS 4456 0

      功率直流無(wú)刷電機(jī)的控制器VDMOS正確使用

      直流無(wú)刷電機(jī)的逆變器由六個(gè)功率VDMOS管和六個(gè)續(xù)流二極管組成，六個(gè)續(xù)流二極管分別寄生在這六個(gè)VDMOS管里，因而從控制器外面看只有六個(gè)VDMOS管。

      2011-12-02 標(biāo)簽：VDMOS直流無(wú)刷電機(jī) 2448 0

      LDMOS和VDMOS

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      2011-12-01 標(biāo)簽：VDMOSLDMOS 3.5萬(wàn) 0

      一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)

      一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)     0 引 言    VDMOS與雙...

      2010-01-11 標(biāo)簽：電容VDMOS 1507 0

      一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)

      一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu) 0 引 言    VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入電阻高...

      2009-11-25 標(biāo)簽：電容VDMOS 1086 0

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      vdmos數(shù)據(jù)手冊(cè)

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