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標(biāo)簽 > DDR4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn):16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn):16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。
數(shù)據(jù)規(guī)格
DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型,容量為2GB,運(yùn)行電壓只有1.2V,工作頻率為2133MHz,而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達(dá)到3200MHz。相比之下,DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz,運(yùn)行電壓一般為1.5V,節(jié)能版也有1.35V。僅此一點(diǎn),DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40%。
根據(jù)此前的規(guī)劃,DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達(dá)4266MHz,電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示,這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術(shù),在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。
三星稱,2010年12月底已經(jīng)向一家控制器制造商提供了這種DDR4內(nèi)存條的樣品進(jìn)行測試,并計(jì)劃與多家內(nèi)存廠商密切合作,幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作,預(yù)計(jì)2012年開始投入商用。
DDR3和DDR4性能差距有多大
DDR3傳輸速度最高到2133MHz不等;而DDR4的傳輸速度從2133MHz起,最高可達(dá)4266MHz。
儲(chǔ)存方面同一單位的的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲(chǔ)存空間,同時(shí)DDR4能夠搭載最多8個(gè)模塊。比DDR3多一倍。這樣算下來同樣的空間DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是1.5V而DDR4降至1.2V,移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗DDR4更降至1.1V。
DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超過70%。
默認(rèn)頻率DDR4 2133 CL15
DDR4 2133頻率下帶寬測試:48.4GB/s
DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后,單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說,目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB(單顆芯片512MB,共16顆),而DDR4則完全可以達(dá)到64GB,甚至128GB。而電壓方面,DDR4將會(huì)使用20nm以下的工藝來制造,電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移動(dòng)版的SO-DIMMD DR4的電壓還會(huì)降得更低。
總結(jié):
1:DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀2:DDR4內(nèi)存頻率提升明顯,可達(dá)4266MHz3:DDR4內(nèi)存容量提升明顯,可達(dá)128GB4:DDR4功耗明顯降低,電壓達(dá)到1.2V、甚至更低
ddr4 3200和3600差別大嗎 ddr4 3200和3600可以混用嗎
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