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標(biāo)簽 > DRAM
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。
3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。
寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。
讀操作時(shí),先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。
3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。
寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。
讀操作時(shí),先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
北京君正首顆 21nm DRAM下半年推出,三大存儲類芯片持續(xù)研發(fā),待行業(yè)市場復(fù)蘇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2024年上半年,北京君正實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 210,684.96萬元,同比下降5.15%,實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤 19...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)據(jù)韓媒報(bào)道,三星和海力士正在開發(fā)低功耗DRAM堆疊技術(shù),以用于移動設(shè)備上,這類DRAM被稱之為移動HBM存儲器,并計(jì)劃20...
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡潔而...
2024-09-10 標(biāo)簽:DRAM存儲器計(jì)算機(jī) 165 0
存儲器的刷新是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲元中的柵極電容來存儲電荷,而電容本身存在漏電流,導(dǎo)致電荷會逐...
DRAM的分類、特點(diǎn)及技術(shù)指標(biāo)
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中廣泛使用的內(nèi)存類型之一。它以其高速、大容量和相...
DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn),接口都是異步的,其中輸入控制信號直接影響內(nèi)部功能。
2024-07-29 標(biāo)簽:DRAMSDRAM內(nèi)存控制器 304 0
今天我們來聊聊在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中非常關(guān)鍵的技術(shù)——DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。
2024-07-26 標(biāo)簽:DRAM存儲器計(jì)算機(jī) 926 0
在數(shù)字時(shí)代,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)扮演著至關(guān)重要的角色。它們存儲著我們的數(shù)據(jù),也承載著我們的記憶。然而,要正確地操作DRAM并確保其高效運(yùn)行,了...
DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它是一種半導(dǎo)體存儲器,用于存...
2024-07-24 標(biāo)簽:DRAM存儲器計(jì)算機(jī) 435 0
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2024-04-24 標(biāo)簽:DRAMcpuusb
類別:電子教材 2023-05-26 標(biāo)簽:DRAM存儲系統(tǒng)
現(xiàn)場存儲器AL422數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-09-17 標(biāo)簽:DRAM存儲器AL422
基于NVM和DRAN的混合內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2021-06-24 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存NVM
DRAM:產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變化孕育中國玩家進(jìn)場良機(jī)立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2021-03-17 標(biāo)簽:DRAM服務(wù)器
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長鑫迅速擴(kuò)產(chǎn) 引發(fā)韓國業(yè)界及媒體關(guān)注
來源:銳芯聞 據(jù)韓國媒體 ZDNet Korea 報(bào)道,CXMT(長鑫存儲科技)等中國內(nèi)存制造商正在積極擴(kuò)大生產(chǎn),可能會對DRAM市場的盈利產(chǎn)生影響。據(jù)...
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SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在...
今日看點(diǎn)丨小米“無按鍵”旗艦手機(jī)被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
1. 美光將在臺灣購買更多生產(chǎn)工廠以擴(kuò)大HBM 內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模 ? 美光(Micron)公司正在臺灣尋找新的生產(chǎn)設(shè)施。美光已同意從顯示器制造商友達(dá)光電(A...
來源:滿天芯 編輯:感知芯視界 Link 近日,英飛凌表示,已與奇夢達(dá)股份公司破產(chǎn)管理人達(dá)成和解,同意支付 7.535 億歐元(8.3721 億美元),...
應(yīng)用材料財(cái)報(bào)亮眼,營收反超ASML成半導(dǎo)體設(shè)備龍頭
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司發(fā)布了其2024年第三季度(截止至7月28日)的財(cái)務(wù)報(bào)告,數(shù)據(jù)顯示該季度公司營收實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健增長,同比增長5%...
2024-08-21 標(biāo)簽:DRAM應(yīng)用材料半導(dǎo)體設(shè)備 556 0
DRAM大廠第三季DDR5價(jià)格大幅上調(diào)
近日,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價(jià)格進(jìn)行新一輪調(diào)整。...
DRAM大廠第三季對DDR5再度調(diào)漲,價(jià)格將上漲15%以上
8月20日最新供應(yīng)鏈動態(tài)揭示,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)行業(yè)巨頭計(jì)劃在第三季度對DDR5產(chǎn)品實(shí)施新一輪的價(jià)格上調(diào),預(yù)計(jì)漲幅將超過15%。此次調(diào)價(jià)背后...
SK海力士M16晶圓廠擴(kuò)產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%
SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了一項(xiàng)重要的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報(bào)道,SK ...
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