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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔而...
2024-09-10 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 166 0
存儲(chǔ)器的刷新是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲(chǔ)元中的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)電荷,而電容本身存在漏電流,導(dǎo)致電荷會(huì)逐...
DRAM的分類、特點(diǎn)及技術(shù)指標(biāo)
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中廣泛使用的內(nèi)存類型之一。它以其高速、大容量和相...
DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn),接口都是異步的,其中輸入控制信號(hào)直接影響內(nèi)部功能。
2024-07-29 標(biāo)簽:DRAMSDRAM內(nèi)存控制器 305 0
今天我們來(lái)聊聊在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中非常關(guān)鍵的技術(shù)——DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。
2024-07-26 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 928 0
在數(shù)字時(shí)代,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)扮演著至關(guān)重要的角色。它們存儲(chǔ)著我們的數(shù)據(jù),也承載著我們的記憶。然而,要正確地操作DRAM并確保其高效運(yùn)行,了...
DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用于存...
2024-07-24 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 439 0
國(guó)產(chǎn)ARM + FPGA的SDIO通信開發(fā)介紹!
SDIO(Secure Digital lnput and Output),即安全數(shù)字輸入輸出接口。SDIO總線協(xié)議是由SD協(xié)議演化而來(lái),它主要是對(duì)SD...
存內(nèi)計(jì)算芯片的基石-存儲(chǔ)介質(zhì)匯總
作為新的計(jì)算架構(gòu),存內(nèi)計(jì)算(Computing In Memory,CIM)被認(rèn)為是具有潛力的革命性技術(shù)。重點(diǎn)是將存儲(chǔ)與計(jì)算融合,有效克服馮·諾依曼架構(gòu)...
知存科技助力AI應(yīng)用落地:WTMDK2101-ZT1評(píng)估板實(shí)地評(píng)測(cè)與性能揭秘
隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長(zhǎng),傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計(jì)算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計(jì)算(IMC)和近存計(jì)算(NMC)架構(gòu)有望突破這一瓶頸,顯著...
DDR和LPDDR都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的類型,它們?cè)谟?jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2024-05-12 標(biāo)簽:DRAMDDR隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1737 0
冗余電路保險(xiǎn)措施的導(dǎo)入—備用記憶體的機(jī)制
在半導(dǎo)體記憶體中,例如一個(gè)1G的DRAM,代表一個(gè)半導(dǎo)體晶片上擁有10億個(gè)能夠記憶1 bit的資訊單位。
DDR內(nèi)存通過(guò)在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù),提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。
使用新的DRAM進(jìn)步來(lái)提高嵌入式系統(tǒng)的性能
DRAM 技術(shù)的進(jìn)步伴隨著多核處理器、新操作系統(tǒng)的出現(xiàn),以及對(duì)許多不同計(jì)算平臺(tái)和應(yīng)用程序(例如服務(wù)器、工作站、大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、PC 和外圍設(shè)...
2024-05-03 標(biāo)簽:DRAM嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng) 176 0
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí),3D DRAM開發(fā)路線圖
目前,各大內(nèi)存芯片廠商,以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行3D DRAM的研發(fā)工作,并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。
隨著AI設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器訪問(wèn)的要求越來(lái)越高,SRAM在工藝節(jié)點(diǎn)遷移中進(jìn)一步增加功耗已成為一個(gè)的問(wèn)題。
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