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      標(biāo)簽　>　FinFET存儲(chǔ)器

      FinFET存儲(chǔ)器

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      　　與平面工藝相比，F(xiàn)inFET的復(fù)雜性一般會(huì)導(dǎo)致更加昂貴的制造工藝，F(xiàn)inFET降低了工作電壓，提高了晶體管效率，對靜態(tài)功耗（線性）和動(dòng)態(tài)功耗（二次方）都有積極作用。可節(jié)省高達(dá)50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工藝高37%。

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      FinFET存儲(chǔ)器簡介

      與平面工藝相比，F(xiàn)inFET的復(fù)雜性一般會(huì)導(dǎo)致更加昂貴的制造工藝，F(xiàn)inFET降低了工作電壓，提高了晶體管效率，對靜態(tài)功耗（線性）和動(dòng)態(tài)功耗（二次方）都有積極作用?？晒?jié)省高達(dá)50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工藝高37%。
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      finfet存儲(chǔ)器技術(shù)

      淺談FinFET存儲(chǔ)器的缺陷修復(fù)和測試算法

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      2019-01-03 標(biāo)簽：FinFETFinFET存儲(chǔ)器STAR存儲(chǔ)器 4357 0

      FinFET存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及測試和修復(fù)方法

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      2016-09-30 標(biāo)簽：SoCFinFET存儲(chǔ)器STAR存儲(chǔ)器 2978 0

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      檢測和診斷FinFET存儲(chǔ)器具體缺陷和修復(fù)方法

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      2017-11-16 標(biāo)簽：starfinfet存儲(chǔ)器 1548 0

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      finfet存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)手冊

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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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        +關(guān)注
        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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        +關(guān)注
        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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