氮化鎵（GaN）是一種高電子遷移率晶體管（HEMT），意味著GaN器件的臨界電場強度大于硅。GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升頻率，降低驅(qū)動損耗?？斐淠茉?～5h內(nèi)使蓄電池達到或接近完全充電狀態(tài)的一種充電方法。