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ldmos+關(guān)注2人關(guān)注

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LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。

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