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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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制的區(qū)別:首選,要清楚的是:三極管是電流驅(qū)動的,較低的電壓就可以驅(qū)動三極管,但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅(qū)動的,驅(qū)動電壓較高,但是驅(qū)...
在上期的芝識課堂中,我們和大家簡單認(rèn)識了邏輯IC的基本知識和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
場效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
場效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
2023-02-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 1622 0
關(guān)乎電源安全的吹風(fēng)機(jī)電源管理芯片應(yīng)該如何選擇呢?
吹風(fēng)機(jī)是人們最為日常的一款家用電器。對于注重頭發(fā)發(fā)質(zhì)的消費(fèi)者來說,一款吹風(fēng)機(jī)的錯誤選擇,可能會釀成心頭之痛。
相信很多工程師在使用電子測量儀器的時候大家都了解MOS管,下面一起看看MOS管究竟是什么?
功率IC是一種重要的電子器件,它具有高效、集成度高、穩(wěn)定性好、靈活性強(qiáng)、適應(yīng)范圍廣等特點(diǎn)。 MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種三端半...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 1498 0
什么原因?qū)е滦」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(比如MOS管型號等)更好,由于沒電路圖,下面對這部分設(shè)計MO...
2023-02-15 標(biāo)簽:小功率MOS無刷直流電機(jī) 1233 0
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,...
增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理
通常將柵極與襯底連接在一起,這樣襯底與柵極之間就形成電容,當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時,將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少,從而控制漏極電流大小。
短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同,主要原因是速度飽和效應(yīng)。 載流子的速度正比于電場,遷移率是一個常數(shù),當(dāng)溝道電場達(dá)到某一臨界...
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
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