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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場和客戶認(rèn)可,廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)...
電路中經(jīng)常會通過較大的電流,這就造成了電路中存在很多不確定的因素。為了避免這些因素對電路或者重要器件的損傷,保護(hù)電路應(yīng)運而生。保護(hù)電路在逆變電源這種經(jīng)常...
TX/RX傳輸?shù)腗OS電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計案例
今天給大家分享下TX/RX傳輸?shù)腗OS電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計案例,既規(guī)誡自己以后設(shè)計電路需嚴(yán)謹(jǐn)再嚴(yán)謹(jǐn),也向大家再次從犯錯糾錯的角度介紹TX/RX傳輸?shù)腗OS電...
2022-08-03 標(biāo)簽:電路設(shè)計MOS電平轉(zhuǎn)換 5179 0
對于單個NMOS來說,在開通時,需要提供瞬間大電流向MOS內(nèi)的寄生電容充電,柵源電壓(VGS)達(dá)到一定閾值后,MOS才能完全開通。在MOS開通后,還需要...
DC-DC開關(guān)電源的開關(guān)波形產(chǎn)生高頻振蕩的原因
這一期為大家分享的是:DC-DC開關(guān)電源的開關(guān)波形產(chǎn)生高頻振蕩的原因,以及優(yōu)化方案。
2022-07-28 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源DC-DC 2.4萬 0
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計電機(jī)驅(qū)...
2022-07-27 標(biāo)簽:控制器電機(jī)驅(qū)動MOS 1914 0
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
淺析Boost轉(zhuǎn)換器為適配不同的應(yīng)用有著全面的產(chǎn)品解決方案
電子產(chǎn)品中,總是可見DC-DC轉(zhuǎn)換器的身影,DC-DC轉(zhuǎn)換器的使用有利于簡化電源電路設(shè)計,縮短研制周期,實現(xiàn)最佳指標(biāo)。
2022-07-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC-DCBoost 906 0
SiC設(shè)計分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設(shè)計工程師在選擇功率開關(guān)器件時參考!
MOS的C-V曲線與襯底濃度以及GOX特性的關(guān)系
隨著半導(dǎo)體制程越來越復(fù)雜,我們最關(guān)鍵的參數(shù)Vt的控制越來越重要,有的時候我們的Vt如果單純是襯底濃度影響我們自然可以通過長溝和短溝以及NMOS和PMOS...
自舉電容,內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓,通過自舉電路升壓得到,比VCC高的電壓,否則,高端MOS無法驅(qū)動。
2022-04-09 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS自舉電容 8861 0
寬范圍輸入常規(guī)隔離開關(guān)電源設(shè)計
針對開關(guān)電源很多人覺得很難,其實不然。設(shè)計一款開關(guān)電源并不難,難就難在做精,等你真正入門了,積累一定的經(jīng)驗,再采用分立的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計就簡單多了。萬事開頭...
2022-03-12 標(biāo)簽:原理圖開關(guān)電源MOS 3225 0
電源和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中兩種MOS冗余驅(qū)動方案分析
Other Parts Discussed in Post: UCC21225A作者:Jimmy Zhou 在電源和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,功率MOS可以...
2021-11-10 標(biāo)簽:電源PWM電機(jī)驅(qū)動 6434 0
HT7180 3.7V升12V/2A內(nèi)置MOS大電流升壓IC解決方案
HT7180是一款高功率非同步升壓轉(zhuǎn)換器,集成 22mΩ功率開關(guān)管,為便攜式系統(tǒng)提供高效的小尺寸解決方案。
為什么MOS管要并聯(lián)個二極管有什么作用?mos管并聯(lián)二極管的作用深度分析
原文來自公眾號硬件工程師看海 加微信[chunhou0820],拉你進(jìn)群 下圖是NMOS的示意圖,從圖中紅色框內(nèi)可以看到, MOS在D、S極之間并聯(lián)了一...
SGT-MOS結(jié)構(gòu)及轉(zhuǎn)移特性詳解
MOS器件第一個深溝槽(Deep Trench)作為“體內(nèi)場板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷,這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率,從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(RSP...
思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別?測試報告新鮮出爐
上一篇報告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對比,得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會比XX33AP的效率高,功耗小。本篇文章,我們將...
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