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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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基于無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)的高效智能小車(chē)運(yùn)行案例解讀
現(xiàn)如今面對(duì)能源應(yīng)用的創(chuàng)新在學(xué)界和電能產(chǎn)業(yè)界中持續(xù)增加,目標(biāo)是當(dāng)電能出現(xiàn)的時(shí)候能夠被充分的應(yīng)用,可再生能源在這方面表現(xiàn)最為搶眼,例如太陽(yáng)能電池板、風(fēng)力發(fā)電...
2021-04-09 標(biāo)簽:MOS無(wú)線(xiàn)充電半橋電路 6466 0
電源的輸入部分,為了防止誤操作,將電源的正負(fù)極接反,對(duì)電路造成損壞,一般會(huì)對(duì)其進(jìn)行防護(hù),如采用保險(xiǎn)絲,二極管,MOS管等方式,這里就稍微做一下梳理總結(jié)。
超大規(guī)模集成電路分析_影響MOS晶體管的非理想因素
自20世紀(jì)40年代末至50年代初發(fā)明晶體管以來(lái),它一直是電子器件中最主要的元件,它使現(xiàn)代技術(shù)得到了極大的提高。摩爾定律和Dennard縮放已經(jīng)描述了改進(jìn)...
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場(chǎng)效應(yīng)管安裝及拆卸流程
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類(lèi),不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 標(biāo)簽:MOSMOS場(chǎng)效應(yīng)管 8790 0
使用單片機(jī)經(jīng)常會(huì)碰到的一些問(wèn)題和解決方法
工作和生活中會(huì)遇到許許多多的問(wèn)題,可能讓你一時(shí)陷于其中,但是總有解決的辦法。隨時(shí)記下遇到的問(wèn)題,并做好總結(jié),一方面有助于積累,另一方面也避免同一次錯(cuò)誤再犯。
基于TPS40090功放升壓電源板電路方案設(shè)計(jì)
在50W以?xún)?nèi)在常溫下可以不用安裝散熱板,用于汽車(chē)時(shí)無(wú)論使用多大功率都一定要安裝散熱板,以免汽車(chē)被暴曬后立即使用使溫度過(guò)高造成安全隱患。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因而具有很高的輸入電阻(最高可達(dá)10l5Ω)。它分為...
2019-11-30 標(biāo)簽:萬(wàn)用表MOSMOS場(chǎng)效應(yīng)管 5977 0
對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在看波形,看輸入波形,MOS開(kāi)關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開(kāi)關(guān)GS波形為...
22nm工藝下如何實(shí)現(xiàn)高效率低壓大電流輸出
從這篇文章來(lái)看,優(yōu)勢(shì)是頻率更高,因此瞬態(tài)響應(yīng)和紋波更好,同時(shí)用低壓管耐高壓,減小了rds_on,從而提高了效率。同時(shí)頻率的提高減小了所需的電感值,該文章...
2019-07-31 標(biāo)簽:電路MOSBuck-Boost 5915 0
與非門(mén)(英語(yǔ):NANDgate)是數(shù)字邏輯中實(shí)現(xiàn)邏輯與非的邏輯門(mén),功能見(jiàn)左側(cè)真值表。若當(dāng)輸入均為高電平(1),則輸出為低電平(0);若輸入中至少有一個(gè)為...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)
由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高,這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn),但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題。由于輸入阻抗高,當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí),在柵極感應(yīng)出來(lái)的電荷就很難通...
2019-06-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS 5781 0
根據(jù)要求設(shè)計(jì)MOS驅(qū)動(dòng)電路
當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。
探討電源工程師該如何突破技術(shù)瓶頸,獲得快速成長(zhǎng)
LLC變壓器工作在高頻模式下,交變磁場(chǎng)下的導(dǎo)體除了我們所熟知的趨附效應(yīng)(Skin effect)外,還會(huì)反生一個(gè)接近效應(yīng)(Proximity effec...
你了解IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)嗎本文帶你深入了解
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IC內(nèi)部結(jié)構(gòu) 你了解IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)嗎本文帶你深入了解
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常??墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,...
MOS器件有哪些重要特性15個(gè)問(wèn)答方式解答
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降? 【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面...
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