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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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萬(wàn)事開(kāi)頭難,開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)就應(yīng)該這樣一步一步來(lái)
針對(duì)開(kāi)關(guān)電源很多人覺(jué)得很難,其實(shí)不然。設(shè)計(jì)一款開(kāi)關(guān)電源并不難,難就難在做精,等你真正入門了,積累一定的經(jīng)驗(yàn),再采用分立的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)就簡(jiǎn)單多了。萬(wàn)事開(kāi)頭...
2018-01-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源pwmmos 2.2萬(wàn) 0
關(guān)于MOS應(yīng)用設(shè)計(jì),這些要點(diǎn)不可忽視
這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到常用
2017-12-15 標(biāo)簽:mos高功率因數(shù) 1.2萬(wàn) 0
做一個(gè)合格的Layout工程師,這些設(shè)計(jì)要點(diǎn)你都要知道
如今的電源市場(chǎng),拼體積、拼價(jià)格、拼性能,如何做到這3點(diǎn)就需要一個(gè)經(jīng)驗(yàn)豐富的Layout工程師。
2017-12-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源layoutmos 2.5萬(wàn) 0
在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工...
利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
2016-11-10 標(biāo)簽:mos 5351 0
在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中,自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中,MOS常莫名其妙的失效,有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破...
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