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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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①在MOS開關(guān)過程中,如果柵極電阻較小,發(fā)生了柵極電壓震蕩,多半是因為MOS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt,我們可以知道,柵極電阻小,開通...
2022年11月晶揚電子順利通過IECQ QC080000:2017認證,這不僅標志著晶揚電子的產(chǎn)品達到了認證標準要求,更展現(xiàn)了公司在社會環(huán)境保護方面的...
第一個作用好理解,這里解釋一下第二個作用的原理。保護柵極G~源極S,場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效...
世微AP5125外置MOS管平均電流型LED降壓恒流驅(qū)動
AP5125 是一款外圍電路簡單的 Buck 型平均電流檢測模式的 LED 恒流驅(qū)動器,適用于 8-100V 電壓范圍的非隔離式大功率恒流 LED 驅(qū)動...
三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時??蓺w結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測試設(shè)備和測試程序的情況下,有...
這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起,不管是MOS還是二極管,都是由半導(dǎo)體材料構(gòu)成,我們都知道二極管是由一對PN結(jié)構(gòu)成,見下圖,P型區(qū)對應(yīng)二極管的陽極,N型區(qū)對...
LP6451內(nèi)部集成了兩個MOS管,構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管,同樣由于PCB上的走線,Die與芯片引腳之間Bonding線都會帶來寄生電...
2022-11-15 標簽:MOS開關(guān)管微源半導(dǎo)體 1813 0
自舉電容,內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓,通過自舉電路升壓得到,比VCC高的電壓,否則,高端MOS無法驅(qū)動。
2022-11-14 標簽:開關(guān)電源MOS 2198 0
高邊MOS和低邊MOS由驅(qū)動器驅(qū)動,當驅(qū)動器的輸出HO為高時,高邊MOS導(dǎo)通,OUT電壓幾乎等于HV。其電流路徑為,從HV流經(jīng)高邊MOS,最后流向外部負...
首先,MOS管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。但...
2022-10-21 標簽:場效應(yīng)管MOS 2416 0
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片,該系列產(chǎn)品包含NSD8308(8通道)和NSD8306(6通道)兩款產(chǎn)品,內(nèi)部均集成多通...
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,選擇唯樣商城的MOS管,其次驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?;酒骷負浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過 ...
NP3400A使用先進的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費 超低密度細胞設(shè)計導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
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