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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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NP2302DHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302DHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費 超低密度細(xì)胞設(shè)計導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300VR-M(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300VR-M使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門電荷和高密度細(xì)胞設(shè)計超低導(dǎo)通電阻。本設(shè)備適用于作為負(fù)載 在PWM開關(guān)或應(yīng)用程序。
內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機(jī)BLDC驅(qū)動芯片方案
深圳市永阜康科技有限公司致力于內(nèi)置MOS+預(yù)驅(qū)+算法、全集成三相直流無刷電機(jī)驅(qū)動芯片的推廣,全系列產(chǎn)品系列外圍僅需幾個阻容
NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費 超低密度細(xì)胞設(shè)計導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升,五大策略應(yīng)對市場挑戰(zhàn)
截至2023年,1200V碳化硅器件累計出貨超過了2400萬顆,得到了新能源汽車、消費電子以及工業(yè)市場的客戶好評。其中SiC MOSFET營收迅速提升,...
RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲能電源上的應(yīng)用
便攜式儲能電源MOS管應(yīng)用,主逆變儲能單元,推薦“平面高壓MOS”系列;DC-DC單元,推薦“低壓MOS-SGT”系列
RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS采用多層外延工藝,可對標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品,滿足不同功率的適配器應(yīng)用
遠(yuǎn)翔FP6293 異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片,可單/雙節(jié)鋰電池升壓輸出
FP6293是一個電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.14Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個外部組件計數(shù)...
MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。芯圣MOS...
?安森德N溝道MOS ASDM100R066NQ用于5G小基站
5G小基站是實現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)覆蓋的關(guān)鍵組成部分,一般應(yīng)用在流量需求大的熱點區(qū)域,如大型商場等。目前各運(yùn)營商都在進(jìn)行5G基礎(chǔ)設(shè)施,未來將實現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的覆蓋...
2022-05-06 標(biāo)簽:MOS 563 0
升壓恒壓IC,輸出電壓可調(diào) 內(nèi)置MOS AP8660
概述 AP8660是一款電流模式升壓ICDC-DC恒壓IC。 其PWM電路內(nèi)置0.25Ω功率內(nèi)置MOS管,使該穩(wěn)壓器具有高功效。 內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)也最多可減...
REASUNOS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在大功率電源上的應(yīng)用
大功率電源PFC電路推薦,瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管,可提升大功率電源的功率密度和效率,減少體積和降低成本,同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
電源IC直接驅(qū)動是我們最常用的驅(qū)動方式,同時也是最簡單的驅(qū)動方式,使用這種驅(qū)動方式,應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一,查看一下電源IC手冊,其最...
士蘭微高效、全貼片方案的LED照明驅(qū)動產(chǎn)品SD7866BD、SD7826AH
LED照明驅(qū)動兩級無頻閃方案具有高PF、低諧波、低成本、無頻閃等諸多優(yōu)點,已成為LED照明市場客戶的首選。士蘭微最新推出高效、全貼片方案的LED照明驅(qū)動...
超高性價比領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ介紹
超高性價比領(lǐng)泰雙P電源MOS,LT4953SQ,-30V/5.1A/37mΩ,另還有13mΩ/18mΩ/27mΩ,PIN替換AP4953/TS4953/...
瑞森半導(dǎo)體超小內(nèi)阻20mΩ和TO-220F封裝70mΩ的超結(jié)MOS新品上市
瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET新品上市,RSF60R070F、RSF60R026W型號,打破行業(yè)常規(guī)?(TO-220F封裝70mΩ),業(yè)內(nèi)優(yōu)勢導(dǎo)通電阻(典型...
MOT仁懋TOLL封裝MOS,引領(lǐng)綠色能源新紀(jì)元
MOTTOLL產(chǎn)品綠色新能源MOT仁懋TOLL封裝MOS在藍(lán)天白云、綠水青山的呼喚下,全球正迎來一場能源革命。隨著能源危機(jī)的日益緊迫和環(huán)保意識的深入人心...
p-NiO插入終端結(jié)合MOS結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高性能GaN基SBD
依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺,天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊設(shè)計了一種具有p-NiO插入終端結(jié)合側(cè)壁MOS場板的混合式肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)(Hyb...
SIC977X系列高功率因素非隔離智能降電流去COMP/VDD
型號? ?? ?? ?? ?PF? ?? ?? ?? ?MOSFET? ?? ?? ?? ?封裝? ?? ?? ?? ?? ?? ?應(yīng)用范圍 SIC97...
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