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標(biāo)簽 > mos

mos

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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

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mos資訊

預(yù)計(jì)112家半導(dǎo)體公司盈利570億元 8家虧損29億元

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2020年,在5G、智能化、新基建等新興應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)提升。受益于經(jīng)濟(jì)“雙循環(huán)”和國(guó)產(chǎn)化替代的浪潮,國(guó)內(nèi)大部分半導(dǎo)體公司訂單需求增長(zhǎng)...

2021-05-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體cpuMOS 1911 0

二極管/三極管/MOS管的封裝類型,看這一篇就夠了!

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二極管常見(jiàn)的封裝類型,DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等,相信大家都很熟悉。圖源:百度百科封裝指的是安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼...

2023-04-12 標(biāo)簽:二極管MOS 1908 0

電路應(yīng)用丨MOS場(chǎng)效應(yīng)管作用開(kāi)關(guān)

電路應(yīng)用丨MOS場(chǎng)效應(yīng)管作用開(kāi)關(guān)

MOSFET很容易飽和,這就意味著說(shuō),MOSFET完全打開(kāi),且非??煽?,可以在飽和區(qū)域之間進(jìn)行非??焖俚那袚Q,這就意味著MOSFET可以用作開(kāi)關(guān),尤其是...

2023-04-19 標(biāo)簽:電路MOS 1908 0

FP7195單芯片雙色調(diào)光應(yīng)用

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一、芯片概述FP7195是一款大功率異步降壓恒流芯片外置N溝MOS驅(qū)動(dòng),與肖特基和電感形成回路組成降壓架構(gòu)二、芯片特點(diǎn)?效率高達(dá)95%以上?芯片穩(wěn)定工作...

2023-02-14 標(biāo)簽:芯片MOS 1904 0

基于EDA仿真驗(yàn)證進(jìn)行IGBT芯片研發(fā)的方法使用

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IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢(shì)特征的一種半導(dǎo)體復(fù)合器件,作為功率半導(dǎo)體分離器件的代表,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)控制領(lǐng)域,所涉及領(lǐng)域...

2022-07-10 標(biāo)簽:IGBTedaMOS 1896 0

NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

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2022-07-13 標(biāo)簽:MOSFETMOS 1859 0

PoE電源模塊不輸出?可能是MOS管故障,解決方法請(qǐng)拿走~

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PoE(PoweroverEthernet)是一種有線以太網(wǎng)供電技術(shù),網(wǎng)線傳輸數(shù)據(jù)的同時(shí)具備直流供電能力。全面應(yīng)用于POE交換機(jī)、IP攝像頭、IP電話、...

2023-06-21 標(biāo)簽:電源MOS 1820 0

NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

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2022-07-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS 1815 0

寄生電感對(duì)Buck電路中開(kāi)關(guān)管的影響

LP6451內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管,構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管,同樣由于PCB上的走線,Die與芯片引腳之間Bonding線都會(huì)帶來(lái)寄生電...

2022-11-15 標(biāo)簽:MOS開(kāi)關(guān)管微源半導(dǎo)體 1813 0

元器件失效分析基本概念與機(jī)理分析

三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)??蓺w結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測(cè)試設(shè)備和測(cè)試程序的情況下,有...

2022-11-15 標(biāo)簽:ESD元器件MOS 1800 0

80V TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器

80V TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器     日前,Vishay Intertechnology, I...

2010-02-09 標(biāo)簽:整流器MOS 1794 0

ACM6753無(wú)霍爾傳感器 三相正弦波直流無(wú)刷電機(jī)BLDC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)IC方案

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引言 提到直流無(wú)刷電機(jī),那不得不提的就是有刷電機(jī)了。有刷電機(jī)有一個(gè)比較令人討厭的缺點(diǎn):那就是“吵”。因?yàn)殡娝⒑蛽Q向環(huán)需要時(shí)刻不停地摩擦,才能給電樞供電。...

2023-01-12 標(biāo)簽:傳感器正弦波電機(jī) 1721 0

MOS管柵源下拉電阻的作用

第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S,場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效...

2022-11-17 標(biāo)簽:電阻MOS 1643 0

矽力杰高效率DrMOS方案

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高效率DrMOS大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能的興起,通信基站、數(shù)據(jù)中心及自動(dòng)駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來(lái)支持更強(qiáng)勁的算力需求。這...

2023-11-22 標(biāo)簽:MOS自動(dòng)駕駛矽力杰 1642 0

12V2A的常規(guī)隔離開(kāi)關(guān)電源

根據(jù)具體要求來(lái)選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);這樣的一個(gè)開(kāi)關(guān)電源多選擇反激式(flyback)基本上可以滿足要求。在這里我會(huì)更多的選擇是經(jīng)驗(yàn)公式來(lái)計(jì)算,有需要分析的...

2023-01-05 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源MOS 1601 0

晶揚(yáng)電子順利通過(guò)IECQ QC080000體系認(rèn)證

2022年11月晶揚(yáng)電子順利通過(guò)IECQ QC080000:2017認(rèn)證,這不僅標(biāo)志著晶揚(yáng)電子的產(chǎn)品達(dá)到了認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)要求,更展現(xiàn)了公司在社會(huì)環(huán)境保護(hù)方面的...

2022-11-23 標(biāo)簽:ESDTVSMOS 1594 0

SRAM市場(chǎng)與技術(shù)

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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...

2020-05-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sramMOS 1577 0

IR推出采用PQFN封裝技術(shù)的MOSFET硅器件

  國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOS...

2010-11-24 標(biāo)簽:MOS采用PQFN 1562 0

內(nèi)置MOS開(kāi)關(guān)降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)器概述、特點(diǎn)及應(yīng)用

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SL9056C 是一款內(nèi)置100V 功率MOS高效率、高精度的開(kāi)關(guān)降壓型大功率LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。

2022-06-10 標(biāo)簽:ledMOS恒流驅(qū)動(dòng)器 1535 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    +關(guān)注
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    COMSOL
    +關(guān)注
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    +關(guān)注
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    SDK
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