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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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預(yù)計(jì)112家半導(dǎo)體公司盈利570億元 8家虧損29億元
2020年,在5G、智能化、新基建等新興應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)提升。受益于經(jīng)濟(jì)“雙循環(huán)”和國(guó)產(chǎn)化替代的浪潮,國(guó)內(nèi)大部分半導(dǎo)體公司訂單需求增長(zhǎng)...
電路應(yīng)用丨MOS場(chǎng)效應(yīng)管作用開(kāi)關(guān)
MOSFET很容易飽和,這就意味著說(shuō),MOSFET完全打開(kāi),且非??煽?,可以在飽和區(qū)域之間進(jìn)行非??焖俚那袚Q,這就意味著MOSFET可以用作開(kāi)關(guān),尤其是...
一、芯片概述FP7195是一款大功率異步降壓恒流芯片外置N溝MOS驅(qū)動(dòng),與肖特基和電感形成回路組成降壓架構(gòu)二、芯片特點(diǎn)?效率高達(dá)95%以上?芯片穩(wěn)定工作...
基于EDA仿真驗(yàn)證進(jìn)行IGBT芯片研發(fā)的方法使用
IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢(shì)特征的一種半導(dǎo)體復(fù)合器件,作為功率半導(dǎo)體分離器件的代表,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)控制領(lǐng)域,所涉及領(lǐng)域...
PoE電源模塊不輸出?可能是MOS管故障,解決方法請(qǐng)拿走~
PoE(PoweroverEthernet)是一種有線以太網(wǎng)供電技術(shù),網(wǎng)線傳輸數(shù)據(jù)的同時(shí)具備直流供電能力。全面應(yīng)用于POE交換機(jī)、IP攝像頭、IP電話、...
寄生電感對(duì)Buck電路中開(kāi)關(guān)管的影響
LP6451內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管,構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管,同樣由于PCB上的走線,Die與芯片引腳之間Bonding線都會(huì)帶來(lái)寄生電...
2022-11-15 標(biāo)簽:MOS開(kāi)關(guān)管微源半導(dǎo)體 1813 0
三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)??蓺w結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測(cè)試設(shè)備和測(cè)試程序的情況下,有...
80V TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器
80V TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器 日前,Vishay Intertechnology, I...
ACM6753無(wú)霍爾傳感器 三相正弦波直流無(wú)刷電機(jī)BLDC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)IC方案
引言 提到直流無(wú)刷電機(jī),那不得不提的就是有刷電機(jī)了。有刷電機(jī)有一個(gè)比較令人討厭的缺點(diǎn):那就是“吵”。因?yàn)殡娝⒑蛽Q向環(huán)需要時(shí)刻不停地摩擦,才能給電樞供電。...
第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S,場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效...
高效率DrMOS大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能的興起,通信基站、數(shù)據(jù)中心及自動(dòng)駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來(lái)支持更強(qiáng)勁的算力需求。這...
2023-11-22 標(biāo)簽:MOS自動(dòng)駕駛矽力杰 1642 0
12V2A的常規(guī)隔離開(kāi)關(guān)電源
根據(jù)具體要求來(lái)選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);這樣的一個(gè)開(kāi)關(guān)電源多選擇反激式(flyback)基本上可以滿足要求。在這里我會(huì)更多的選擇是經(jīng)驗(yàn)公式來(lái)計(jì)算,有需要分析的...
2023-01-05 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源MOS 1601 0
晶揚(yáng)電子順利通過(guò)IECQ QC080000體系認(rèn)證
2022年11月晶揚(yáng)電子順利通過(guò)IECQ QC080000:2017認(rèn)證,這不僅標(biāo)志著晶揚(yáng)電子的產(chǎn)品達(dá)到了認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)要求,更展現(xiàn)了公司在社會(huì)環(huán)境保護(hù)方面的...
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOS...
內(nèi)置MOS開(kāi)關(guān)降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)器概述、特點(diǎn)及應(yīng)用
SL9056C 是一款內(nèi)置100V 功率MOS高效率、高精度的開(kāi)關(guān)降壓型大功率LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。
2022-06-10 標(biāo)簽:ledMOS恒流驅(qū)動(dòng)器 1535 0
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