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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征...
2022-01-07 標(biāo)簽:MOS 612 0
8.2.8 UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用...
2022-03-01 標(biāo)簽:MOS 786 0
?安森德N溝道MOS ASDM100R066NQ用于5G小基站
5G小基站是實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)覆蓋的關(guān)鍵組成部分,一般應(yīng)用在流量需求大的熱點(diǎn)區(qū)域,如大型商場(chǎng)等。目前各運(yùn)營(yíng)商都在進(jìn)行5G基礎(chǔ)設(shè)施,未來(lái)將實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的覆蓋...
2022-05-06 標(biāo)簽:MOS 562 0
8.2.2 分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、...
2022-02-23 標(biāo)簽:MOS 748 0
安森德P溝道 MOS ASDM60P25KQ替代萬(wàn)代AOD407、臺(tái)灣微碧2SJ601-Z
安森德推出的P溝道溝槽式MOS管ASDM60P25KQ,具有超低的Qgd,通過(guò)了100%雪崩測(cè)試,安全性能較好,可替代萬(wàn)代的AOD407和臺(tái)灣微碧(VB...
2022-05-06 標(biāo)簽:MOS 679 0
10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
ImpactIonizationMOS撰稿人:清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂http...
2022-03-21 標(biāo)簽:MOS 367 0
8.2.12 MOSFET 瞬態(tài)響應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.12MOSFET瞬態(tài)響應(yīng)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和...
2022-03-07 標(biāo)簽:MOS 651 0
8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》...
士蘭微mos管產(chǎn)品主要包括低高壓、超結(jié)mos管,實(shí)現(xiàn)了溝槽柵低壓MOS,溝槽屏蔽柵SGT-MOS,超級(jí)結(jié)MOS和IGBT等多個(gè)產(chǎn)品的量產(chǎn),廣泛應(yīng)用于家電...
2022-06-01 標(biāo)簽:MOS 1912 0
RS瑞森半導(dǎo)體在LED驅(qū)動(dòng)電源上的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體在LED驅(qū)動(dòng)方案上,推薦使用平面高壓MOS系列,憑借可靠性高、參數(shù)一致性好,內(nèi)阻低等特點(diǎn),助力LED驅(qū)動(dòng)事業(yè)蓬勃發(fā)展
2023-06-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOSLED驅(qū)動(dòng)電源 452 0
奧迪威首個(gè)移動(dòng)香薰專用霧化芯片ADW001
1T 8051 CPU指令集全兼容MCS-51的特性、集成PFG掃頻輸出、、觸摸、ADC及電源管理模塊,可實(shí)現(xiàn)高精度掃頻輸出、充電管理、升壓管理等。
RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT在電動(dòng)平衡車上的應(yīng)用
針對(duì)市面上的電動(dòng)平衡車,瑞森半導(dǎo)體推薦SGT-MOS系列,具有高一致性、高可靠性、開關(guān)速度快、低導(dǎo)通內(nèi)阻
2023-05-25 標(biāo)簽:MOS無(wú)刷電機(jī)電動(dòng)平衡車 363 0
影響第三代半導(dǎo)體SiC MOS閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些?如何應(yīng)對(duì)?
由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性,在器件測(cè)試過(guò)程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移,導(dǎo)致其電性能測(cè)...
FP7195大功率零壓差全程無(wú)頻閃調(diào)光DC-DC恒流芯片,千分之一調(diào)光深度
FP7195是一個(gè)外置N-MOSFET的LED驅(qū)動(dòng)IC。 由于FP7195采用高壓端點(diǎn)電流偵測(cè),而且IC補(bǔ)償回路采用電流模式,具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)又能簡(jiǎn)化...
FS4066耐高壓1到4節(jié)內(nèi)置MOS的鋰電池充電管理芯片
4066系列是一款耐壓25V多串3A鋰離子電池充電IC。FS4066A是4.2V單價(jià)3A內(nèi)置MOS降壓充電IC,F(xiàn)S4066B是8.4V兩串3A內(nèi)置MO...
FS4066耐高壓1到4節(jié)內(nèi)置MOS的鋰電池充電管理芯片
FS4066系列是一款耐壓25V多串3A鋰離子電池充電IC。FS4066A是4.2V單價(jià)3A內(nèi)置MOS降壓充電IC,F(xiàn)S4066B是8.4V兩串3A內(nèi)置...
Buck電路雖然是我們?nèi)粘9ぷ髦薪?jīng)常用到的電路,因?yàn)槠錁?gòu)造有多種情況,各個(gè)廠家有一些自己定義的命名,導(dǎo)致很多工程師理解上會(huì)有差異和錯(cuò)誤。如前文所述,Bu...
(AH869C)帶EMC電路DC220轉(zhuǎn)12V10W降壓IC
我們給你提供ac245V降壓3.3V、5V、12V 醉大電流可高達(dá)900MA的非隔離降壓AC轉(zhuǎn)DC高精密原理方案設(shè)計(jì) AH869C是一款高性能集成低待機(jī)...
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