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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫（編程）和擦除操作的速率快，而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫（編程）操作的能力（見(jiàn)下圖圖2）。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行（XiP），而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢，NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今，越來(lái)越多的處理器具備直接NAND接口，并能直接從NAND（沒(méi)有NOR）導(dǎo)入數(shù)據(jù)。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫（編程）和擦除操作的速率快，而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫（編程）操作的能力（見(jiàn)下圖圖2）。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行（XiP），而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢，NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今，越來(lái)越多的處理器具備直接NAND接口，并能直接從NAND（沒(méi)有NOR）導(dǎo)入數(shù)據(jù)。
編程速度快、擦除時(shí)間短
NAND的真正好處是編程速度快、擦除時(shí)間短。NAND支持速率超過(guò)5Mbps的持續(xù)寫操作，其區(qū)塊擦除時(shí)間短至2ms，而NOR是750ms。顯然，NAND在某些方面具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。然而，它不太適合于直接隨機(jī)存取。
對(duì)于16位的器件，NOR閃存大約需要41個(gè)I/O引腳；相對(duì)而言，NAND器件僅需24個(gè)引腳。NAND器件能夠復(fù)用指令、地址和數(shù)據(jù)總線，從而節(jié)省了引腳數(shù)量。復(fù)用接口的一項(xiàng)好處，就在于能夠利用同樣的硬件設(shè)計(jì)和電路板，支持較大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封裝已經(jīng)沿用多年，該功能讓客戶能夠把較高密度的NAND器件移植到相同的電路板上。NAND器件的另外一個(gè)好處顯然是其封裝選項(xiàng)：NAND提供一種厚膜的2Gb裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片，容許在相同的TSOP-1封裝中堆疊一個(gè)8Gb的器件。這就使得一種封裝和接口能夠在將來(lái)支持較高的密度。
NOR閃存的隨機(jī)存取時(shí)間為0.12ms，而NAND閃存的第一字節(jié)隨機(jī)存取速度要慢得多
以2Gb NAND器件為例，它由2048個(gè)區(qū)塊組成，每個(gè)區(qū)塊有64個(gè)頁(yè)
2GB NAND閃存包含2，048個(gè)區(qū)塊
瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（24）擦除超時(shí)計(jì)算
擦除單元速度類規(guī)范定義了一個(gè)新的管理單元AU(分配單元)。擦除超時(shí)計(jì)算被定義為AU的基礎(chǔ)。SD存儲(chǔ)卡支持塊擦除，但擦除塊需要更多的時(shí)間，這是AU(部分擦...
SD NAND SPI模式：如何實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行
最近，收到客戶反饋，使用我們SD NAND過(guò)程中，使用SPI模式，對(duì)SD完成操作后，SD沒(méi)有進(jìn)入低功耗模式，未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在2...
一、電路設(shè)計(jì)1、參考電路：R1~R5(10K-100kΩ)是上拉電阻，當(dāng)SDNAND處于高阻抗模式時(shí)，保護(hù)CMD和DAT線免受總線浮動(dòng)。即使主機(jī)使用SD...
2024-08-30 標(biāo)簽：上拉電阻NAND電路設(shè)計(jì) 139 0
JK觸發(fā)器，也被稱為通用可編程觸發(fā)器，是數(shù)字電路中的一種重要且功能強(qiáng)大的基本存儲(chǔ)器件。其名稱源自其兩個(gè)輸入端口J（置位）和K（復(fù)位），以及一個(gè)關(guān)鍵的控制...
1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫部分塊，則塊長(zhǎng)度-默認(rèn)塊長(zhǎng)度(在CSD中給出)1...
NAND Flash與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別
NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對(duì)NAND Flash優(yōu)...
恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間。
瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（8）專用命令CMD55 56
應(yīng)用專用命令app_cmd (CMD55) 當(dāng)卡接收到這個(gè)命令時(shí)，會(huì)使卡將下面的命令解釋為一個(gè)特定于應(yīng)用程序的命令A(yù)CMD。ACMD提供命令擴(kuò)展，具有與...
NAND Flash作為非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的重要一員，其擦寫次數(shù)是評(píng)估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細(xì)介紹NAND Flash的擦寫次數(shù)，包括其定義...
2024-07-29 標(biāo)簽：NANDFlaSh存儲(chǔ)技術(shù) 1095 0
MK米客方德SD NAND STM32驅(qū)動(dòng)例程立即下載
類別：電子資料 2024-06-07 標(biāo)簽：NANDSTM32驅(qū)動(dòng)例程
CMOS四路2輸入NAND施密特觸發(fā)器CD4093B數(shù)據(jù)表立即下載
類別：電子資料 2024-05-16 標(biāo)簽：NAND施密特觸發(fā)器
開(kāi)放式NAND閃存接口規(guī)范onfi5.0協(xié)議立即下載
類別：規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2024-05-15 標(biāo)簽：NAND閃存接口
三星調(diào)整晶圓代工策略，聚焦NAND Flash與HBM
三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)一步擴(kuò)建，轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略...
三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在...
2024-09-12 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲(chǔ)技術(shù) 294 0
2024年第二季度，全球NAND閃存市場(chǎng)迎來(lái)價(jià)格顯著上漲的行情，平均售價(jià)攀升了15%，反映出市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛與供應(yīng)端的緊張態(tài)勢(shì)。然而，與此同時(shí)，NAND...
在近期于深圳舉行的ELEXCON 2024國(guó)際電子展上，江波龍電子以創(chuàng)新姿態(tài)亮相，首次提出了PTM（存儲(chǔ)產(chǎn)品技術(shù)制造）這一前沿商業(yè)模式。該模式深度融合了...
三星電子近日宣布，其位于韓國(guó)平澤的P4/P5芯片工廠建設(shè)計(jì)劃將發(fā)生重大調(diào)整，原定于加速推進(jìn)的項(xiàng)目現(xiàn)已決定推遲至2026年。這一變動(dòng)旨在優(yōu)先保障位于美國(guó)得...
江波龍F(tuán)ORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進(jìn)制程工藝迎接WiFi7時(shí)代
深圳2024年9月4日?/美通社/ -- 隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長(zhǎng)，市場(chǎng)上對(duì)元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中，NAN...
MK米客方德SD NAND：STM32平臺(tái)上的存儲(chǔ)方案
在STM32平臺(tái)上，SD卡的重要性不言而喻，它為嵌入式系統(tǒng)提供了必要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫能力。MK米客方德SD作為市場(chǎng)上的一種選擇，因其耐用性、較小的體積以...
Solidigm發(fā)布高性能PCIe 5.0 SSD，引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)新紀(jì)元
全球知名的創(chuàng)新NAND閃存解決方案巨頭Solidigm，近期隆重推出了兩款專為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的旗艦級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)硬盤（SSD）——Solidigm D7-...
2024-08-16 標(biāo)簽：NANDSSD數(shù)據(jù)中心 783 0
卓越存儲(chǔ)方案：杰理AC7916搭配MK米客方德SD NAND
通過(guò)與MK米客方德SD NAND的適配，AC7916為市場(chǎng)提供了一個(gè)高效、可靠的存儲(chǔ)解決方案，并已經(jīng)在單詞機(jī)等產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了成功的應(yīng)用和量產(chǎn)。
鎧俠NAND Flash業(yè)績(jī)飆升，營(yíng)收創(chuàng)新高
日本NAND Flash巨頭鎧俠近日發(fā)布了其2024財(cái)年第一財(cái)季（對(duì)應(yīng)2024年第二季度）的財(cái)務(wù)報(bào)告，展現(xiàn)出了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。該季度內(nèi)，鎧俠的合并營(yíng)收同...
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